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参数资料
| 型号： | IXFT24N50Q |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 24A TO-268 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 24A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 230 毫欧 @ 12A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 95nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
IXFH 24N50Q
IXFH 26N50Q
IXFT 24N50Q
IXFT 26N50Q
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
TO-247 AD Outline
g fs
V DS = 10 V; I D = 0.5 ? I D25 , Note 2
14
24
S
C iss
C oss
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
3900
500
pF
pF
1
2
3
Terminals:
1 - Gate
2 - Drain
C rss
t d(on)
130
28
pF
ns
3 - Source
Tab - Drain
t r
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
30
ns
t d(off)
t f
R G = 2 ? (External),
55
16
ns
ns
Dim.
Millimeter
Min. Max.
Inches
Min. Max.
A 1
Q g(on)
95
nC
A 4.7 5.3
2.2 2.54
.185 .209
.087 .102
A 2
Q gs
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
27
nC
2.2 2.6
b 1.0 1.4
.059 .098
.040 .055
Q gd
40
nC
b 1
b 2
1.65 2.13
2.87 3.12
.065 .084
.113 .123
R thJC
0.42
K/W
C .4 .8
D 20.80 21.46
.016 .031
.819 .845
R thCK
(TO-247)
0.25
K/W
E 15.75 16.26
.610 .640
e 5.20 5.72
L 19.81 20.32
L1 4.50
0.205 0.225
.780 .800
.177
Source-Drain Diode
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
? P 3.55 3.65
Q 5.89 6.40
R 4.32 5.49
S 6.15 BSC
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
242 BSC
I S
I SM
V GS = 0 V
Repetitive; Note1
24N50Q
26N50Q
24N50Q
24
26
96
A
A
A
TO-268 Outline
26N50Q
104
A
V SD
I F = I S , V GS = 0 V,
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
1.3
V
t rr
Q RM
I RM
I F = I S , -di/dt = 100 A/ μ s, V R = 100 V
0.85
8
250
ns
μ C
A
Note 1. Pulse width limited by T JM
2. Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
Dim.
Millimeter
Inches
Min.
Max.
Min.
Max.
Min Recommended Footprint
A
A 1
A 2
b
b 2
C
D
E
E 1
e
H
L
L1
L2
L3
L4
4.9 5.1
2.7 2.9
.02 .25
1.15 1.45
1.9 2.1
.4 .65
13.80 14.00
15.85 16.05
13.3 13.6
5.45 BSC
18.70 19.10
2.40 2.70
1.20 1.40
1.00 1.15
0.25 BSC
3.80 4.10
.193 .201
.106 .114
.001 .010
.045 .057
.75 .83
.016 .026
.543 .551
.624 .632
.524 .535
.215 BSC
.736 .752
.094 .106
.047 .055
.039 .045
.010 BSC
.150 .161
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFK360N10T | MOSFET N-CH 100V 360A TO-264 |
| 5707.0601.113 | MOD POWER ENTRY W/FILTER 6A |
| A11205RNCQE | SWITCH ROTARY .5" 30DEG SP 12POS |
| A40315RNZQ | SWITCH ROTARY 4P 3POS EYELET |
| 5707.0601.112 | MOD POWER ENTRY W/FILTER 6A |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFT24N80P | 功能描述:MOSFET 24 Amps 800V 0.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT24N90P | 功能描述:MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT26N50 | 功能描述:MOSFET 26 Amps 500V 0.23 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT26N50Q | 功能描述:MOSFET 26 Amps 500V 0.2 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT26N55Q | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs Q-Class |
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