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参数资料
| 型号： | IXFT24N90P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH TO-268 |
| 产品目录绘图： | TO-268 Package |
| 特色产品： | 900V Polar HiPerFET? Power MOSFETs |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | Polar™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 900V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 24A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 420 毫欧 @ 12A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 6.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 130nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7200pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 660W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
Preliminary Technical Information
Polar TM Power MOSFET
HiPerFET TM
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
IXFH24N90P
IXFT24N90P
V DSS
I D25
R DS(on)
t rr
=
=
≤
≤
900V
24A
420 m Ω
300 ns
Fast Intrinsic Diode
TO-247 (IXFH)
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
T J = 25 ° C to 150 ° C
900
V
V DGR
V GSS
V GSM
I D25
I DM
I A
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
900
± 30
± 40
24
48
12
V
V
V
A
A
A
TO-268 (IXFT)
TAB
E AS
T C = 25 ° C
1
J
G
S
TAB
dV/dt
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 150 ° C
15
V/ns
P D
T J
T C = 25 ° C
660
-55 ... +150
W
° C
G = Gate
S = Source
D = Drain
TAB = Drain
T JM
150
° C
T stg
-55 ... +150
° C
Features
T L
T SOLD
M d
Weight
Maximum lead temperature for soldering
Plastic body for 10s
Mounting torque (TO-247)
TO-247
TO-268
300
260
1.13/10
6
4
° C
° C
Nm/lb.in.
g
g
International standard packages
Avalanche Rated
Low package inductance
Fast intrinsic diode
Advantages
Easy to mount
Space savings
High power density
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
BV DSS V GS = 0V, I D = 1mA
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
900 V
Applications:
Switched-mode and resonant-mode
power supplies
V GS(th)
V DS = V GS , I D = 1mA
3.5
6.5
V
DC-DC Converters
Laser Drivers
I GSS
I DSS
V GS = ± 30V, V DS = 0V
V DS = V DSS
V GS = 0V
T J = 125 ° C
± 200 nA
25 μ A
2 mA
AC and DC motor drives
Robotics and servo controls
R DS(on)
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
420 m Ω
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
DS100059(10/08)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 483P3S144 | CABLE STR MALE-R/A FMAL 3POS 12' |
| XMLHVW-Q0-0000-0000HS6E7 | LED XM-L HIGH VOLTAGE WHITE |
| XMLHVW-Q0-0000-0000HS6F7 | LED XM-L HIGH VOLTAGE WHITE |
| 484S4P36 | CABLE STR FMAL-STR MALE 4POS 3' |
| XMLHVW-Q0-0000-0000HS5F8 | LED XM-L HIGH VOLTAGE WHITE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFT26N50 | 功能描述:MOSFET 26 Amps 500V 0.23 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT26N50Q | 功能描述:MOSFET 26 Amps 500V 0.2 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT26N55Q | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs Q-Class |
| IXFT26N60 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs |
| IXFT26N60P | 功能描述:MOSFET 600V 26A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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