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参数资料
| 型号： | IXFT30N50P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 D3 |
| 产品目录绘图： | TO-268 Package |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarHV™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 30A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 200 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 70nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4150pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 460W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
PolarHV TM HiPerFET
Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
IXFH 30N50P
IXFT 30N50P
IXFV 30N50P
IXFV 30N50PS
V DSS
I D25
R DS(on)
t rr
= 500 V
= 30 A
≤ 200 m ?
≤ 200 ns
Fast Intrinsic Diode
TO-247 AD (IXFH)
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
T J = 25 ° C to 150 ° C
500
V
V DGR
V GSS
V GSM
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
Continuous
Transient
500
± 30
± 40
V
V
V
TO-268 (IXFT)
D (TAB)
I D25
I DM
I AR
E AR
E AS
dv/dt
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
30
75
30
40
1.2
10
A
A
A
mJ
J
V/ns
G
PLUS220 (IXFV)
S
D (TAB)
T J ≤ 150 ° C, R G = 5 ?
P D
T C = 25 ° C
460
W
D
T J
T JM
T stg
-55 ... +150
150
-55 ... +150
° C
° C
° C
G
S
D (TAB)
T L
T SOLD
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Plastic body for 10 s
300
260
° C
° C
PLUS220 SMD(IXFV..S)
M d
F C
Mounting torque (TO-247, TO-3P)
Mounting force (PLUS220, PLUS220SMD)
1.13/10 Nm/lb.in
11 65/2.5 15 N/lb.
G
Weight
PLUS220, PLUS220SMD
TO-268
TO-247
4
5
6
g
g
g
G = Gate
S
D (TAB)
D = Drain
S = Source
TAB = Drain
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
Features
BV DSS
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
Min. Typ. Max.
500
V
l
l
International standard packages
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
V GS(th)
V DS = V GS , I D = 4 mA
3.0
5.0
V
l
Low package inductance
- easy to drive and to protect
Easy to mount
Space savings
I GSS
I DSS
V GS = ± 30 V, V DS = 0 V
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 125 ° C
± 100
25
750
nA
μ A
μ A
Advantages
l
l
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
165
200
m ?
l
High power density
? 2006 IXYS All rights reserved
DS99414E(04/06)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TL22SCAG015C | SW TOGGLE DPDT RED ILL GOLD SLD |
| B32562H8334K | FILM CAP 0.33UF 10% 630V |
| FXO-HC735R-161.1328 | OSCILLATOR 161.1328 MHZ 3.3V SMD |
| 5639AD | SWITCH TOGGLE MINI |
| 106362103 | SWITCH TOGGLE PROFES |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFT30N50Q | 功能描述:MOSFET 30 Amps 500V 0.16 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT30N50Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT30N60P | 功能描述:MOSFET 600V 30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT30N60Q | 功能描述:MOSFET 30 Amps 600V 0.23W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT320N10T2 | 功能描述:MOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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