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参数资料
| 型号： | IXFT30N50P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 D3 |
| 产品目录绘图： | TO-268 Package |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarHV™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 30A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 200 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 70nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4150pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 460W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
IXFH 30N50P IXFT 30N50P
IXFV 30N50P IXFV 30N50PS
30
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125 o C
3.4
Fig. 4. R DS(on ) Norm alized to 0.5 I D25
Value vs. Junction Tem perature
27
24
21
18
15
12
9
6
3
0
V GS = 10V
8V
7V
6V
5V
3.1
2.8
2.5
2.2
1.9
1.6
1.3
1
0.7
0.4
V GS = 10V
I D = 30A
I D = 15A
0
2
4
6
8
10
12
14
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
3.4
V D S - Volts
Fig. 5. R DS(on) Norm alized to
0.5 I D25 Value vs. I D
35
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Tem perature
3.1
V GS = 10V
T J = 125 o C
30
2.8
2.5
2.2
1.9
1.6
1.3
1
0.7
T J = 25 o C
25
20
15
10
5
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
55
50
45
I D - Amperes
Fig. 7. Input Adm ittance
60
55
50
T C - Degrees Centigrade
Fig. 8. Transconductance
40
35
45
40
T J = -40 o C
25 o C
30
25
20
15
10
5
0
T J = 125 o C
25 o C
-40 o C
35
30
25
20
15
10
5
0
125 o C
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
V G S - Volts
? 2006 IXYS All rights reserved
I D - Amperes
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TL22SCAG015C | SW TOGGLE DPDT RED ILL GOLD SLD |
| B32562H8334K | FILM CAP 0.33UF 10% 630V |
| FXO-HC735R-161.1328 | OSCILLATOR 161.1328 MHZ 3.3V SMD |
| 5639AD | SWITCH TOGGLE MINI |
| 106362103 | SWITCH TOGGLE PROFES |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFT30N50Q | 功能描述:MOSFET 30 Amps 500V 0.16 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT30N50Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT30N60P | 功能描述:MOSFET 600V 30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT30N60Q | 功能描述:MOSFET 30 Amps 600V 0.23W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT320N10T2 | 功能描述:MOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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