- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录458 > IXFT50N30Q3 (IXYS)MOSFET N-CH 300V 50A TO-268 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXFT50N30Q3 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 300V 50A TO-268 |
| 特色产品： | Q3-Class HiPerFET? Power MOSFETs |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 300V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 80 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 6.5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 65nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3165pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 690W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
IXFT50N30Q3
IXFH50N30Q3
50
Fig. 1. Output Characteristics @ T J = 25oC
90
Fig. 2. Extended Output Characteristics @ T J = 25oC
45
40
35
V GS = 10V
9V
80
70
60
V GS = 10V
9.5V
30
50
25
20
8.5V
40
9V
15
10
5
0
8V
7V
30
20
10
0
8.5V
8V
7V
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
0
5
10
15
20
25
30
V DS - Volts
V DS - Volts
50
45
Fig. 3. Output Characteristics @ T J = 125oC
V GS = 10V
3.0
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 25A Value vs.
Junction Temperature
V GS = 10V
2.6
40
9V
35
30
25
20
15
10
5
0
8V
7V
6V
2.2
1.8
1.4
1.0
0.6
0.2
I D = 50A
I D = 25A
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 25A Value vs.
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
3.0
Drain Current
60
Case Temperature
2.8
2.6
V GS = 10V
50
2.4
40
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
T J = 125oC
30
20
1.2
1.0
0.8
T J = 25oC
10
0
0
10
20
30
40
50
60
70
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFT50N60P3 | MOSFET N-CH 600V 50A TO268 |
| IXFT52N30Q | MOSFET N-CH 300V 52A TO-268 |
| IXFT52N50P2 | MOSFET N-CH 500V 52A TO268 |
| IXFT58N20Q | MOSFET N-CH 200V 58A TO-268 |
| IXFT58N20 | MOSFET N-CH 200V 58A TO-268 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFT50N50P3 | 功能描述:MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT50N60P3 | 功能描述:MOSFET 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT52N30 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 52A I(D) | TO-268 |
| IXFT52N30Q | 功能描述:MOSFET 300V 52A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT52N50P2 | 功能描述:MOSFET PolarP2 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。