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参数资料
| 型号： | IXFT52N30Q |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 300V 52A TO-268 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 300V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 52A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 60 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 150nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5300pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 360W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
IXFH 52N30Q IXFK 52N30Q
IXFT 52N30Q
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ.
max.
TO-247 AD (IXFH) Outline
g fs
C iss
C oss
C rss
V DS = 10 V; I D = 0.5 ? I D25 , pulse test
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
22
35
5300
1010
200
S
pF
pF
pF
t d(on)
27
ns
Dim. Millimeter
Min. Max.
Inches
Min. Max.
t r
t d(off)
t f
Q g(on)
Q gs
Q gd
R thJC
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
R G = 1.5 W (External),
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
60
80
25
150
34
75
0.35
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K/W
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
19.81 20.32
20.80 21.46
15.75 16.26
3.55 3.65
4.32 5.49
5.4 6.2
1.65 2.13
- 4.5
1.0 1.4
10.8 11.0
4.7 5.3
0.780 0.800
0.819 0.845
0.610 0.640
0.140 0.144
0.170 0.216
0.212 0.244
0.065 0.084
- 0.177
0.040 0.055
0.426 0.433
0.185 0.209
M
0.4
0.8
0.016 0.031
R thCK
TO-247
0.25
K/W
N
1.5 2.49
0.087 0.102
TO-264
0.15
K/W
TO-264 AA Outline
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Symbol
Test Conditions
min. typ.
max.
I S
I SM
V GS = 0 V
Repetitive; pulse width limited by T JM
52
208
A
A
V SD
I F = I S , V GS = 0 V,
Pulse test, t ￡ 300 m s, duty cycle d ￡ 2 %
1.5
V
Dim.
A
Millimeter
Min. Max.
4.82 5.13
Inches
Min. Max.
.190 .202
t rr
Q RM
I RM
I F = I S -di/dt = 100 A/ m s, V R = 100 V
1
8
250
ns
m C
A
A1
A2
b
b1
b2
2.54
2.00
1.12
2.39
2.90
2.89
2.10
1.42
2.69
3.09
.100 .114
.079 .083
.044 .056
.094 .106
.114 .122
c
D
E
e
J
0.53
25.91
19.81
5.46
0.00
0.83
26.16
19.96
BSC
0.25
.021 .033
1.020 1.030
.780 .786
.215 BSC
.000 .010
TO-268AA (D 3 PAK)
Dim.
A
A 1
A 2
b
b 2
C
Millimeter
Min. Max.
4.9 5.1
2.7 2.9
.02 .25
1.15 1.45
1.9 2.1
.4 .65
Inches
Min. Max.
.193 .201
.106 .114
.001 .010
.045 .057
.75 .83
.016 .026
K
L
L1
P
Q
Q1
R
R1
S
T
0.00
20.32
2.29
3.17
6.07
8.38
3.81
1.78
6.04
1.57
0.25
20.83
2.59
3.66
6.27
8.69
4.32
2.29
6.30
1.83
.000 .010
.800 .820
.090 .102
.125 .144
.239 .247
.330 .342
.150 .170
.070 .090
.238 .248
.062 .072
D
13.80 14.00
.543 .551
E
E 1
e
H
L
L1
L2
L3
L4
15.85 16.05
13.3 13.6
5.45 BSC
18.70 19.10
2.40 2.70
1.20 1.40
1.00 1.15
0.25 BSC
3.80 4.10
.624 .632
.524 .535
.215 BSC
.736 .752
.094 .106
.047 .055
.039 .045
.010 BSC
.150 .161
Min. Recommended Footprint
? 2000 IXYS All rights reserved
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025
2-2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFT52N50P2 | MOSFET N-CH 500V 52A TO268 |
| IXFT58N20Q | MOSFET N-CH 200V 58A TO-268 |
| IXFT58N20 | MOSFET N-CH 200V 58A TO-268 |
| IXFT69N30P | MOSFET N-CH 300V 69A TO-268 |
| IXFT6N100Q | MOSFET N-CH 1000V 6A TO-268 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFT52N50P2 | 功能描述:MOSFET PolarP2 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT58N20 | 功能描述:MOSFET 58 Amps 200V 0.08W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT58N20Q | 功能描述:MOSFET 200V 58A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT60N20 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs |
| IXFT60N20F | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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