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参数资料
| 型号： | IXFT6N100Q |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 6A TO-268 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.9 欧姆 @ 3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 2.5mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 48nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2200pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 180W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
HiPerFET TM
Power MOSFETs
Q-Class
IXFH 6N100Q V DSS
IXFT 6N100Q I D25
R DS(on)
= 1000 V
= 6A
= 1.9 ?
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, Low Q g , High dv/dt
t rr ≤ 250 ns
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
TO-247 AD (IXFH)
V DSS
V DGR
V GS
V GSM
I D25
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
1000
1000
± 20
± 30
6
V
V
V
V
A
I DM
I AR
T C = 25 ° C,
pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
24
6
A
A
TO-268 (D3) ( IXFT)
E AR
E AS
dv/dt
P D
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 ?
T C = 25 ° C
20
700
5
180
mJ
mJ
V/ns
W
G = Gate
S = Source
G
S
D = Drain
TAB = Drain
(TAB)
T J
T JM
T stg
-55 ... +150
150
-55 ... +150
° C
° C
° C
T L
1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s
300
° C
M d
Mounting torque
1.13/10 Nm/lb.in.
Weight
TO-247
6
g
Features
Symbol
TO-268
Test Conditions
4 g
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
IXYS advanced low Q g process
Low gate charge and capacitances
- easier to drive
- faster switching
International standard packages
V DSS
V GS = 0 V, I D = 1 mA
1000
V
Low R DS (on)
Unclamped Inductive Switching (UIS)
V GS(th)
I GSS
I DSS
R DS(on)
V DS = V GS , I D = 2.5 mA
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
V DS = 0.8 V DSS T J = 25 ° C
V GS = 0 V T J = 125 ° C
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
2.0
4.5
± 100
50
1
1.9
V
nA
μ A
mA
?
rated
Molding epoxies meet UL 94 V-0
flammability classification
Advantages
Easy to mount
Space savings
High power density
? 1999 IXYS All rights reserved
98561A (6/99)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFT70N15 | MOSFET N-CH 150V 70A TO-268 |
| IXFT70N20Q3 | MOSFET N-CH 200V 70A TO-268 |
| IXFT80N085 | MOSFET N-CH 85V 80A TO-268 |
| IXFT80N10Q | MOSFET N-CH 100V 80A TO-268 |
| IXFT80N15Q | MOSFET N-CH 150V 80A TO-268 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFT70N15 | 功能描述:MOSFET 70 Amps 150V 0.028 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT70N20Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 200V/70A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT70N30Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 300V/70A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT74N20 | 功能描述:MOSFET 74 Amps 200V 0.03 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT75N10Q | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPER FET POWER MOSFETS Q CLASS |
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