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参数资料
| 型号： | IXFT80N10Q |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 80A TO-268 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 15 毫欧 @ 40A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 180nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 360W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
HiPerFET TM
Power MOSFETs
Q-Class
IXFH 80N10Q
IXFT 80N10Q
V DSS
I D25
R DS(on)
= 100 V
= 80 A
= 15 m W
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, High dV/dt
Low Gate Charge and Capacitances
Preliminary data
t rr ￡ 200ns
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
TO-247 AD (IXFH)
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M W
100
100
V
V
V GS
V GSM
I D25
I DM
I AR
E AR
E AS
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
± 20
± 30
80
320
80
30
1.5
V
V
A
A
A
mJ
J
TO-268 (IXFT) Case Style
(TAB)
dv/dt
P D
T J
T JM
T stg
T L
I S ￡ I DM , di/dt ￡ 100 A/ m s, V DD ￡ V DSS ,
T J ￡ 150 ° C, R G = 2 W
T C = 25 ° C
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
5
360
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
V/ns
W
° C
° C
° C
° C
G = Gate
S = Source
Features
G
S
D = Drain
TAB = Drain
(TAB)
M d
Weight
Mounting torque
(TO-247)
TO-247 AD
TO-268
1.13/10 Nm/lb.in.
6 g
4 g
? IXYS advanced low gate charge
process
? International standard packages
? Low gate charge and capacitance
- easier to drive
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
- faster switching
? Low R DS (on)
? Unclamped Inductive Switching (UIS)
V DSS
V GS = 0 V, I D = 250 m A
100
V
rated
V GS(th)
I GSS
I DSS
R DS(on)
V DS = V GS , I D = 4 mA
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
V DS = V DSS T J = 25 ° C
V GS = 0 V T J = 125 ° C
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25
Pulse test, t ￡ 300 m s, duty cycle d ￡ 2 %
2.0
4
± 100
25
1
15
V
nA
m A
mA
m W
? Molding epoxies meet UL 94 V-0
flammability classification
Advantages
? Easy to mount
? Space savings
? High power density
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
? 2000 IXYS All rights reserved
98592B (7/00)
1-2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFT80N15Q | MOSFET N-CH 150V 80A TO-268 |
| IXFT80N20Q | MOSFET N-CH 200V 80A TO-268 |
| IXFT88N30P | MOSFET N-CH 300V 88A TO268 |
| IXFT94N30T | MOSFET N-CH 300V 94A TO-268 |
| IXFT96N20P | MOSFET N-CH 200V 96A TO-268 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFT80N15Q | 功能描述:MOSFET 80 Amps 150V 0.0225 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT80N20Q | 功能描述:MOSFET 80 Amps 200V 0.03 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT80N30P3 | 功能描述:MOSFET HiPerFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT86N30T | 功能描述:MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 300V 86A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT88N28P | 功能描述:MOSFET Trench HiperFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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