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参数资料
| 型号： | IXFT88N30P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 300V 88A TO268 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | Polar™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 300V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 88A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 40 毫欧 @ 44A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 180nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6300pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 600W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
Polar TM HiPerFET TM
Power MOSFET
IXFT88N30P
IXFH88N30P
IXFK88N30P
V DSS
I D25
R DS(on)
t rr
=
=
≤
≤
300V
88A
40m Ω
200ns
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
Fast Intrinsic Diode
TO-268 (IXFT)
G
S
Tab
Symbol
V DSS
V DGR
V GSS
Test Conditions
T J = 25°C to 150°C
T J = 25°C to 150°C, R GS = 1M Ω
Continuous
Maximum Ratings
300
300
± 20
V
V
V
TO-247(IXFH)
V GSM
I D25
Transient
T C = 25°C
± 30
88
V
A
G
D
S
Tab
I L(RMS)
I DM
I A
E AS
External Lead Current Limit
T C = 25°C, Pulse Width Limited by T JM
T C = 25°C
T C = 25°C
75
220
60
2
A
A
A
J
TO-264 (IXFK)
dV/dt
P D
T J
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 150 ° C
T C = 25°C
10
600
-55 to +150
V/ns
W
°C
G
D
G = Gate
S = Source
S
Tab
D = Drain
Tab = Drain
T JM
+150
°C
T stg
-55 to +150
°C
Features
T L
T SOLD
M d
Weight
1.6mm (0.063in) from Case for 10s
Plastic Body for 10s
Mounting Torque (TO-247&TO-264)
TO-268
TO-247
TO-264
300
260
1.13/10
4
6
10
°C
°C
Nm/lb.in.
g
g
g
International Standard Packages
Fast Intrinsic Diode
Avalanche Rated
Low R DS(ON) and Q G
Low Package Inductance
Advantages
High Power Density
Symbol Test Conditions
(T J = 25°C, Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Easy to Mount
Space Savings
BV DSS
V GS(th)
I GSS
I DSS
R DS(on)
V GS = 0V, I D = 250 μ A
V DS = V GS , I D = 4mA
V GS = ± 20V, V DS = 0V
V DS = V DSS , V GS = 0V
T J = 125°C
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
300
2.5
V
5.0 V
±100 nA
25 μ A
250 μ A
40 m Ω
Applications
DC-DC Coverters
Battery Chargers
Switch-Mode and Resonant-Mode
Power Supplies
DC Choppers
AC and DC Motor Drives
Uninterrupted Power Supplies
High Speed Power Switching
Applications
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS99216F(11/09)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFT94N30T | MOSFET N-CH 300V 94A TO-268 |
| IXFT96N20P | MOSFET N-CH 200V 96A TO-268 |
| IXFV110N10PS | MOSFET N-CH 100V 110A PLUS220-S |
| IXFV12N120PS | MOSFET N-CH 1200V 12A PLUS220SMD |
| IXFV18N60PS | MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220-SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFT94N30P3 | 功能描述:MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT94N30T | 功能描述:MOSFET Trench HiperFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT96N20P | 功能描述:MOSFET 96 Amps 200V 0.024 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT9N80Q | 功能描述:MOSFET 9 Amps 800V 1.1W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFTN100 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs |
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