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参数资料
| 型号： | IXFT88N30P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 300V 88A TO268 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | Polar™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 300V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 88A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 40 毫欧 @ 44A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 180nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6300pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 600W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
IXFT88N30P IXFH88N30P
IXFK88N30P
90
Fig. 1. Output Characteristics @ T J = 25oC
200
Fig. 2. Extended Output Characteristics @ T J = 25oC
80
70
60
V GS = 10V
9V
8V
7V
180
160
140
V GS = 10V
9V
8V
120
50
100
40
80
7V
30
6V
60
20
40
6V
10
0
5V
20
0
5V
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
90
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics @ T J = 125oC
V GS = 10V
3.2
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 44A Value
vs. Junction Temperature
80
9V
8V
2.8
V GS = 10V
70
60
50
40
7V
6V
2.4
2.0
1.6
I D = 88A
I D = 44A
30
1.2
20
10
0
5V
0.8
0.4
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
3.6
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 44A Value
vs. Drain Current
80
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
3.2
2.8
V GS = 10V
T J = 125oC
70
60
External Lead Current Limit
50
2.4
40
2.0
30
1.6
20
1.2
0.8
T J = 25oC
10
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFT94N30T | MOSFET N-CH 300V 94A TO-268 |
| IXFT96N20P | MOSFET N-CH 200V 96A TO-268 |
| IXFV110N10PS | MOSFET N-CH 100V 110A PLUS220-S |
| IXFV12N120PS | MOSFET N-CH 1200V 12A PLUS220SMD |
| IXFV18N60PS | MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220-SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFT94N30P3 | 功能描述:MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT94N30T | 功能描述:MOSFET Trench HiperFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT96N20P | 功能描述:MOSFET 96 Amps 200V 0.024 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT9N80Q | 功能描述:MOSFET 9 Amps 800V 1.1W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFTN100 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs |
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