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参数资料
型号： IXFT88N30P
厂商： IXYS
文件页数： 5/5页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 300V 88A TO268
标准包装： 30
系列： Polar™ HiPerFET™
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 标准
漏极至源极电压(Vdss)： 300V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 88A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 40 毫欧 @ 44A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 5V @ 4mA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 180nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 6300pF @ 25V
功率 - 最大： 600W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA
供应商设备封装： TO-268
包装： 管件
IXFT88N30P IXFH88N30P
IXFK88N30P
Fig. 13. Maximum Transient Thermal Impedance
1.000
0.100
0.010
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Pulse Width - Second
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
IXYS REF: T_88N30P(8S)11-18-09-A
相关PDF资料
PDF描述
IXFT94N30T MOSFET N-CH 300V 94A TO-268
IXFT96N20P MOSFET N-CH 200V 96A TO-268
IXFV110N10PS MOSFET N-CH 100V 110A PLUS220-S
IXFV12N120PS MOSFET N-CH 1200V 12A PLUS220SMD
IXFV18N60PS MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220-SMD
相关代理商/技术参数
参数描述
IXFT94N30P3 功能描述:MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFT94N30T 功能描述:MOSFET Trench HiperFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFT96N20P 功能描述:MOSFET 96 Amps 200V 0.024 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFT9N80Q 功能描述:MOSFET 9 Amps 800V 1.1W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFTN100 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs
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