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参数资料
| 型号： | IXFT88N30P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 300V 88A TO268 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | Polar™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 300V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 88A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 40 毫欧 @ 44A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 180nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6300pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 600W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
IXFT88N30P IXFH88N30P
IXFK88N30P
160
140
Fig. 7. Input Admittance
100
90
Fig. 8. Transconductance
T J = - 40oC
80
120
70
25oC
100
60
80
50
125oC
60
T J = 125oC
25oC
- 40oC
40
30
40
20
20
0
10
0
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
240
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode
10
V DS = 150V
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
200
8
I D = 44A
I G = 10mA
160
6
120
4
80
T J = 125oC
40
0
T J = 25oC
2
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
10,000
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
1,000
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
Ciss
R DS(on) Limit
1ms
100μs
25μs
100
10ms
1,000
100
f = 1 MHz
Coss
Crss
10
1
T J = 150oC
T C = 25oC
Single Pulse
DC
0
5
10
15
20
25
30
35
40
1
10
100
1000
V DS - Volts
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
V DS - Volts
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFT94N30T | MOSFET N-CH 300V 94A TO-268 |
| IXFT96N20P | MOSFET N-CH 200V 96A TO-268 |
| IXFV110N10PS | MOSFET N-CH 100V 110A PLUS220-S |
| IXFV12N120PS | MOSFET N-CH 1200V 12A PLUS220SMD |
| IXFV18N60PS | MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220-SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFT94N30P3 | 功能描述:MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT94N30T | 功能描述:MOSFET Trench HiperFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT96N20P | 功能描述:MOSFET 96 Amps 200V 0.024 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT9N80Q | 功能描述:MOSFET 9 Amps 800V 1.1W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFTN100 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs |
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