- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录458 > IXFT52N50P2 (IXYS)MOSFET N-CH 500V 52A TO268 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXFT52N50P2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 52A TO268 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarP2™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 52A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 120 毫欧 @ 26A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 113nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 960W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
IXFH52N50P2
IXFT52N50P2
55
Fig. 1. Output Characteristics @ T J = 25oC
120
Fig. 2. Extended Output Characteristics @ T J = 25oC
50
45
V GS = 10V
7V
100
V GS = 10V
8V
40
35
30
6V
80
7V
60
25
20
15
10
5
0
5V
40
20
0
6V
5V
0
1
2
3
4
5
6
0
5
10
15
20
25
30
55
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics @ T J = 125oC
3.4
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 26A Value vs.
Junction Temperature
50
V GS = 10V
7V
3.0
V GS = 10V
45
40
6V
2.6
35
30
25
20
15
10
5V
2.2
1.8
1.4
1.0
I D = 52A
I D = 26A
5
0
4V
0.6
0.2
0
2
4
6
8
10
12
14
16
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
3.4
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 26A Value vs.
Drain Current
V GS = 10V
55
50
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
3.0
2.6
2.2
1.8
T J = 125oC
45
40
35
30
25
20
1.4
T J = 25oC
15
10
1.0
5
0.6
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFT58N20Q | MOSFET N-CH 200V 58A TO-268 |
| IXFT58N20 | MOSFET N-CH 200V 58A TO-268 |
| IXFT69N30P | MOSFET N-CH 300V 69A TO-268 |
| IXFT6N100Q | MOSFET N-CH 1000V 6A TO-268 |
| IXFT70N15 | MOSFET N-CH 150V 70A TO-268 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFT58N20 | 功能描述:MOSFET 58 Amps 200V 0.08W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT58N20Q | 功能描述:MOSFET 200V 58A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT60N20 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs |
| IXFT60N20F | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT60N25Q | 功能描述:MOSFET 60 Amps 250V 0.047 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。