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参数资料
| 型号： | IXFT58N20 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 58A TO-268 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 58A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 40 毫欧 @ 29A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 220nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
Fig. 1 Output Characteristics
IXFH/IXFM42N20
IXFH/IXFM50N20
IXFH/IXFM58N20 IXFT50N20
IXFT58N20
Fig. 2 Input Admittance
100
90
80
T J = 25°C
V GS = 10V
9V
8V
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
7V
6V
5V
70
60
50
40
30
20
10
0
T J = 25°C
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
2.6
2.4
2.2
V DS - Volts
Fig. 3 R DS(on) vs. Drain Current
V GS - Volts
Fig. 4 Temperature Dependence
of Drain to Source Resistance
2.50
2.25
2.00
2.0
1.8
1.75
1.50
I D = 25A
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
V GS = 10V
V GS = 15V
1.25
1.00
0.75
0.50
0
25
50
75
100
125
150
175
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
80
I D - Amperes
Fig. 5 Drain Current vs.
Case Temperature
T J - Degrees C
Fig. 6 Temperature Dependence of
Breakdown and Threshold Voltage
1.2
70
60
50
58N20
50N20
42N20
1.1
1.0
0.9
V GS(th)
BV DSS
40
30
20
10
0
0.8
0.7
0.6
0.5
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
T C - Degrees C
? 2000 IXYS All rights reserved
T J - Degrees C
3-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFT69N30P | MOSFET N-CH 300V 69A TO-268 |
| IXFT6N100Q | MOSFET N-CH 1000V 6A TO-268 |
| IXFT70N15 | MOSFET N-CH 150V 70A TO-268 |
| IXFT70N20Q3 | MOSFET N-CH 200V 70A TO-268 |
| IXFT80N085 | MOSFET N-CH 85V 80A TO-268 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFT58N20Q | 功能描述:MOSFET 200V 58A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT60N20 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs |
| IXFT60N20F | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT60N25Q | 功能描述:MOSFET 60 Amps 250V 0.047 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT60N50P3 | 功能描述:MOSFET 500V 60A 0.1Ohm PolarP3 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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