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参数资料
| 型号： | IXFT58N20Q |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 58A TO-268 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 58A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 40 毫欧 @ 29A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 140nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
IXFH
IXFT
58N20Q
58N20Q
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
TO-247 AD Outline
g fs
V DS = 10 V; I D = 0.5 I D25 , pulse test
24
34
S
C iss
C oss
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
3600
870
pF
pF
1
2
3
C rss
t d(on)
280
20
pF
ns
t r
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 0.5 I D25
40
ns
t d(off)
t f
Q g(on)
Q gs
Q gd
R thJC
R thCK
R G = 1.5 ? (External)
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 0.5 I D25
(TO-247)
40
13
98 140
25 35
45 70
0.42
0.25
ns
ns
nC
nC
nC
K/W
K/W
Terminals: 1 - Gate 2 - Drain
3 - Source Tab - Drain
Dim. Millimeter Inches
Min. Max. Min. Max.
A 4.7 5.3 .185 .209
A 1 2.2 2.54 .087 .102
A 2 2.2 2.6 .059 .098
b 1.0 1.4 .040 .055
b 1 1.65 2.13 .065 .084
b 2 2.87 3.12 .113 .123
C .4 .8 .016 .031
D 20.80 21.46 .819 .845
E 15.75 16.26 .610 .640
Source-Drain Diode
Symbol Test Conditions
I S V GS = 0 V
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
58 A
e 5.20 5.72
L 19.81 20.32
L1 4.50
? P 3.55 3.65
Q 5.89 6.40
R 4.32 5.49
S 6.15 BSC
0.205 0.225
.780 .800
.177
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
242 BSC
I SM
V SD
Repetitive;
I F = I S , V GS = 0 V,
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
232
1.5
A
V
TO-268 Outline
t rr
Q RM
I RM
I F = I S -di/dt = 100 A/ μ s, V R = 100 V
0.7
7
200
ns
μ C
A
Min. Recommended Footprint
Dimensions in mm and inches
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFT58N20 | MOSFET N-CH 200V 58A TO-268 |
| IXFT69N30P | MOSFET N-CH 300V 69A TO-268 |
| IXFT6N100Q | MOSFET N-CH 1000V 6A TO-268 |
| IXFT70N15 | MOSFET N-CH 150V 70A TO-268 |
| IXFT70N20Q3 | MOSFET N-CH 200V 70A TO-268 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFT60N20 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs |
| IXFT60N20F | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT60N25Q | 功能描述:MOSFET 60 Amps 250V 0.047 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT60N50P3 | 功能描述:MOSFET 500V 60A 0.1Ohm PolarP3 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT66N20Q | 功能描述:MOSFET 66 Amps 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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