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参数资料
| 型号： | IXFT70N15 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 70A TO-268 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 70A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 28 毫欧 @ 35A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 180nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
IXFH 70N15
IXFT 70N15
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Min.
Typ.
Max.
TO-247 AD Outline
g fs
V DS = 10 V; I D = 0.5 I D25 , pulse test
30
45
S
C iss
C oss
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
3600
1080
pF
pF
1
2
3
C rss
t d(on)
360
35
pF
ns
t r
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 0.5 I D25
52
ns
t d(off)
R G = 2 ? (External)
70
ns
Terminals: 1 - Gate
3 - Source
2 - Drain
Tab - Drain
t f
23
ns
Dim.
Millimeter
Inches
Q g(on)
180
nC
Min. Max.
A 4.7 5.3
Min. Max.
.185 .209
A 1
A 2
Q gs
Q gd
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 0.5 I D25
28
92
nC
nC
2.2 2.54
2.2 2.6
b 1.0 1.4
.087 .102
.059 .098
.040 .055
R thJC
0.42
K/W
b 1
b 2
1.65 2.13
2.87 3.12
.065 .084
.113 .123
R thCK
(TO-247)
0.25
K/W
C .4 .8
D 20.80 21.46
.016 .031
.819 .845
E 15.75 16.26
e 5.20 5.72
L 19.81 20.32
.610 .640
0.205 0.225
.780 .800
Source-Drain Diode
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
L1 4.50
? P 3.55 3.65
Q 5.89 6.40
R 4.32 5.49
.177
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
I S
I SM
V SD
t rr
Q RM
V GS = 0 V
Repetitive;
I F = I S , V GS = 0 V,
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
I F = 25A,-di/dt = 100 A/ μ s, V R = 25 V
0.85
70
280
1.5
250
A
A
V
ns
μ C
S 6.15 BSC
TO-268 Outline
242 BSC
I RM
Min Recommended Footprint
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
8
A
Terminals: 1 - Gate
3 - Source
2 - Drain
Tab - Drain
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFT70N20Q3 | MOSFET N-CH 200V 70A TO-268 |
| IXFT80N085 | MOSFET N-CH 85V 80A TO-268 |
| IXFT80N10Q | MOSFET N-CH 100V 80A TO-268 |
| IXFT80N15Q | MOSFET N-CH 150V 80A TO-268 |
| IXFT80N20Q | MOSFET N-CH 200V 80A TO-268 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFT70N20Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 200V/70A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT70N30Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 300V/70A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT74N20 | 功能描述:MOSFET 74 Amps 200V 0.03 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT75N10Q | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPER FET POWER MOSFETS Q CLASS |
| IXFT7N90Q | 功能描述:MOSFET 7 Amps 900V 1.5W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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