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参数资料
| 型号： | IXFT70N30Q3 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 300V 70A TO-268 |
| 特色产品： | Q3-Class HiPerFET? Power MOSFETs |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 300V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 70A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 54 毫欧 @ 35A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 6.5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 98nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4735pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 830W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
IXFT70N30Q3
IXFH70N30Q3
100
Fig. 7. Input Admittance
70
Fig. 8. Transconductance
90
80
70
60
50
60
50
40
T J = - 40oC
25oC
125oC
40
30
T J = 125oC
25oC
- 40oC
30
20
20
10
10
0
0
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
8
8.5
9
9.5
10
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
220
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode
16
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
200
180
160
140
14
12
10
V DS = 150V
I D = 35A
I G = 10mA
120
8
100
80
60
40
20
0
T J = 125oC
T J = 25oC
6
4
2
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
0
20
40
60
80
100
120
140
10,000
1,000
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
Ciss
Coss
1000
100
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
R DS(on) Limit
25μs
100μs
100
Crss
10
T J = 150oC
T C = 25oC
10
f = 1 MHz
1
Single Pulse
1ms
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10
100
1,000
V DS - Volts
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
V DS - Volts
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PDF描述 |
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参数描述 |
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