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参数资料
| 型号： | IXFT80N10 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 80A TO-268 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12.5 毫欧 @ 40A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 180nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
HiPerFET TM
IXFH 80N10
V DSS
= 100 V
I D25
Power MOSFETs
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, High dv/dt
Preliminary data sheet
IXFT 80N10
= 80 A
R DS(on) = 12.5 m ?
t rr ≤ 200 ns
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
TO-247 AD (IXFH)
V DSS
V DGR
V GS
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
Continuous
100
100
± 20
V
V
V
V GSM
I D25
I L(RMS)
I DM
I AR
E AR
Transient
T C = 25 ° C
Lead current limit
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
± 30
80
75
320
80
50
V
A
A
A
A
mJ
TO-268 ( IXFT) Case Style
(TAB)
E AS
dv/dt
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 ?
2.5
5
J
V/ns
G
S
(TAB)
P D
T J
T JM
T stg
T L
T C = 25 ° C
1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s
300
-55 to +150
150
-55 to +150
300
W
° C
° C
° C
° C
G = Gate D = Drain
S = Source TAB = Drain
M d
Mounting torque
1.13/10 Nm/lb.in.
Features
Weight
TO-247
TO-268
6
4
g
g
l
l
l
International standard packages
Low R DS (on)
Rated for unclamped Inductive load
switching (UIS)
l
Molding epoxies meet UL 94 V-0
flammability classification
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
Advantages
V DSS
V GS = 0 V, I D = 1 mA
100
V
l
Easy to mount
V GS(th)
I GSS
I DSS
V DS = V GS , I D = 4 mA
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
V DS = V DSS
V GS = 0 V
2.0
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
4.0
± 100
50
1
V
nA
μ A
mA
l
l
Space savings
High power density
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
12.5
m ?
? 2000 IXYS All rights reserved
98739 (8/00)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MB00L1NCQD | SW ROTARY DP 5POS 6A THRU SILV |
| FXO-PC738-106.25 | OSC 106.25 MHZ 3.3V PECL SMD |
| AT-3.6864MAGE-T | CRYSTAL 3.6864 MHZ 12PF SMD |
| MRF112/328 | SW ROTARY ACTUATOR SP 2-12POS |
| MD06L1NZQD | SWITCH ROTARY 2P 6POS SLDR LUG |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFT80N10Q | 功能描述:MOSFET 80 Amps 100V 0.015 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT80N15Q | 功能描述:MOSFET 80 Amps 150V 0.0225 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT80N20Q | 功能描述:MOSFET 80 Amps 200V 0.03 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT80N30P3 | 功能描述:MOSFET HiPerFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT86N30T | 功能描述:MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 300V 86A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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