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参数资料
| 型号： | IXFT80N10 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 80A TO-268 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12.5 毫欧 @ 40A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 180nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
IXFH 80N10
IXFT 80N10
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
TO-247 AD (IXFH) Outline
g fs
V DS = 10 V; I D = 0.5 ? I D25 , pulse test
35
55
S
C iss
C oss
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
4800
1460
pF
pF
1
2
3
Terminals:
1 - Gate
2 - Drain
C rss
t d(on)
490
41
pF
ns
3 - Source
Tab - Drain
t r
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
63
ns
t d(off)
R G = 2.5 ? (External),
90
ns
Dim.
Millimeter
Inches
t f
Q g(on)
26
180
ns
nC
A
A 1
A 2
Min.
4.7
2.2
2.2
Max.
5.3
2.54
2.6
Min.
.185
.087
.059
Max.
.209
.102
.098
Q gs
Q gd
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
38
65
nC
nC
b
b 1
b 2
1.0
1.65
2.87
1.4
2.13
3.12
.040
.065
.113
.055
.084
.123
C
.4
.8
.016
.031
R thJC
0.42
K/W
D
E
20.80
15.75
21.46
16.26
.819
.610
.845
.640
R thCK
(TO-247)
0.25
K/W
e
5.20
5.72
0.205
0.225
L
L1
? P
19.81
3.55
20.32
4.50
3.65
.780
.140
.800
.177
.144
Source-Drain Diode
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
Q
R
S
5.89
4.32
6.15
6.40
5.49
BSC
0.232
.170
242
0.252
.216
BSC
I S
I SM
V SD
V GS = 0 V
Repetitive; pulse width limited by T JM
I F = I S , V GS = 0 V,
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
80
320
1.5
A
A
V
TO-268 Outline
t rr
Q RM
I RM
I F = 25A, -di/dt = 100 A/ μ s, V R = 50 V
0.5
6
200
ns
μ C
A
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
Terminals: 1 - Gate
3 - Source
2 - Drain
Tab - Drain
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MB00L1NCQD | SW ROTARY DP 5POS 6A THRU SILV |
| FXO-PC738-106.25 | OSC 106.25 MHZ 3.3V PECL SMD |
| AT-3.6864MAGE-T | CRYSTAL 3.6864 MHZ 12PF SMD |
| MRF112/328 | SW ROTARY ACTUATOR SP 2-12POS |
| MD06L1NZQD | SWITCH ROTARY 2P 6POS SLDR LUG |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFT80N10Q | 功能描述:MOSFET 80 Amps 100V 0.015 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT80N15Q | 功能描述:MOSFET 80 Amps 150V 0.0225 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT80N20Q | 功能描述:MOSFET 80 Amps 200V 0.03 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT80N30P3 | 功能描述:MOSFET HiPerFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT86N30T | 功能描述:MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 300V 86A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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