- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录458 > IXFT96N20P (IXYS)MOSFET N-CH 200V 96A TO-268 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXFT96N20P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 96A TO-268 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarHT™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 96A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 24 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 145nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 600W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
IXFH 96N20P IXFT 96N20P
IXFV 96N20P
Fig. 13. M axim um Trans ie nt The rm al Re s is tance
1.00
0.10
0.01
1
10
100
1000
Pulse Width - Milliseconds
? 2006 IXYS All rights reserved
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFV110N10PS | MOSFET N-CH 100V 110A PLUS220-S |
| IXFV12N120PS | MOSFET N-CH 1200V 12A PLUS220SMD |
| IXFV18N60PS | MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220-SMD |
| IXFV22N50PS | MOSFET N-CH 500V 22A PLUS220-SMD |
| IXFV26N50PS | MOSFET N-CH 500V 26A PLUS220-SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFT9N80Q | 功能描述:MOSFET 9 Amps 800V 1.1W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFTN100 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs |
| IXFV10N100P | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:Polar Power MOSFET HiPerFET |
| IXFV10N100PS | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:Polar Power MOSFET HiPerFET |
| IXFV110N10P | 功能描述:MOSFET 110 Amps 100V 0.015 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。