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参数资料
| 型号： | IXFV110N10PS |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 110A PLUS220-S |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PolarHT™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 110A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 15 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 110nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3550pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 480W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PLUS-220SMD |
| 供应商设备封装： | PLUS-220SMD |
| 包装： | 散装 |
IXFH 110N10P IXFV110N10P
IXFV 110N10PS
250
Fig. 7. Input Adm ittance
70
Fig. 8. Transconductance
225
200
175
T J = -40 o C
25 o C
150 o C
60
50
150
125
100
75
50
25
0
40
30
20
10
0
T J = -40 o C
25 o C
150 o C
4
5
6
7
8
9
10
11
0
50
100
150
200
250
300
350
V G S - Volts
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
300
250
200
150
9
8
7
6
5
4
V DS = 50V
I D = 55A
I G = 10mA
100
50
0
T J = 150 o C
T J = 25 o C
3
2
1
0
0.4
0.6
0.8
1 1.2 1.4
V S D - Volts
1.6
1.8
2
0
20
40 60 80
Q G - nanoCoulombs
100
120
10000
Fig. 11. Capacitance
1000
Fig. 12. Forw ard-Bias
Safe Operating Area
T J = 175 o C
T C = 25 o C
1000
C iss
100
R DS(on) Limit
25μs
100μs
C oss
1ms
100
f = 1MHz
C rss
10
DC
10ms
0
5
10
15 20 25
V DS - Volts
30
35
40
1
10
V D S - Volts
100
1000
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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