- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18141 > IXFV16N80PS (IXYS)MOSFET N-CH 800V 16A PLUS220-S PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IXFV16N80PS |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 800V 16A PLUS220-S |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PolarHV™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 16A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 600 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 71nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 460W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PLUS-220SMD |
| 供应商设备封装： | PLUS-220SMD |
| 包装： | 管件 |
IXFH 16N80P IXFT 16N80P
IXFV 16N80P IXFV 16N80PS
16
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
24
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
V GS = 10V
22
V GS = 10V
14
12
10
7V
6V
20
18
16
7V
6V
14
8
12
10
6
8
4
5V
6
4
2
0
2
0
5V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
16
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125oC
3.1
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 8A Value
vs. Junction Temperature
14
V GS = 10V
7V
2.8
V GS = 10V
6V
12
2.5
2.2
10
1.9
8
6
4
2
0
5V
1.6
1.3
1
0.7
0.4
I D = 16A
I D = 8A
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
V DS - Volts
R Fig. 7. Input Adm to I D =
Fig. 5. DS(on) Normalized ittance 8A Value
T J - Degrees Centigrade
6. 8. Maximum Drain Current
Fig. Fig. Transconductance vs.
50
45
25
15
0
50
2.6
45
2.4
40
2.2
35
2
30
1.8
25
1.6
20
1.4
10
1.2
5 1
0.8
vs. Drain Current
V GS = 10V
T J = 125oC
T J = 125 o C
25 o C
-40 o C
T J = 25oC
20
18
40
16
35
14
30
12
10
20
8
15
6
10
4
5
2
0
0
T J = -40 o C
25 o C
125 o C
Case Temperature
10
30
35 40 125 45 150
50
0
4
2 4.5 4
6 5
8
10
5.5
12 6 14
16
6.5 18
7
20
22 7.5 24
-50 0
-25 5
0
15 25 20 50 25
75
100
T C - Degrees Amperes
I D - Volts
V G - S Amperes
? 2006 IXYS All rights reserved
D
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| F1300CP03 | FILTER POWER ENTRY 3A PIN |
| AV-28.63636MAGV-T | CRYSTAL 28.63636 MHZ 8 PF SMD |
| M2038BB1W01 | SW TOGGLE 3PDT BAT THR SLV SLD |
| AV-27.000MAGE-T | CRYSTAL 27.000 MHZ 12 PF SMD |
| H-22-6A-SB | DIAL SCALE 15 TURN CONCENTRIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFV18N60P | 功能描述:MOSFET 600V 18A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFV18N60PS | 功能描述:MOSFET 600V 18A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFV18N90P | 功能描述:MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFV18N90PS | 功能描述:MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFV20N80P | 功能描述:MOSFET 20 Amps 800V 0.52 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。