- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18141 > IXFV16N80PS (IXYS)MOSFET N-CH 800V 16A PLUS220-S PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IXFV16N80PS |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 800V 16A PLUS220-S |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PolarHV™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 16A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 600 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 71nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 460W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PLUS-220SMD |
| 供应商设备封装： | PLUS-220SMD |
| 包装： | 管件 |
IXFH 26N60P IXFT 26N60P
IXFV 26N60P IXFV 26N60PS
TO-247 AD (IXFH) Outline
TO-268 (IXFT) Outline
PLUS220 (IXFV) Outline
1
2
3
Dim.
Millimeter
Inches
Min. Max.
A 4.7 5.3
Min. Max.
.185 .209
A 1
A 2
2.2 2.54
2.2 2.6
.087 .102
.059 .098
b 1.0 1.4
.040 .055
b 1
b 2
1.65 2.13
2.87 3.12
.065 .084
.113 .123
C .4 .8
D 20.80 21.46
E 15.75 16.26
e 5.20 5.72
L 19.81 20.32
L1 4.50
? P 3.55 3.65
Q 5.89 6.40
R 4.32 5.49
S 6.15 BSC
.016 .031
.819 .845
.610 .640
0.205 0.225
.780 .800
.177
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
242 BSC
PLUS220SMD (IXFV_S) Outline
? 2006 IXYS All rights reserved
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| F1300CP03 | FILTER POWER ENTRY 3A PIN |
| AV-28.63636MAGV-T | CRYSTAL 28.63636 MHZ 8 PF SMD |
| M2038BB1W01 | SW TOGGLE 3PDT BAT THR SLV SLD |
| AV-27.000MAGE-T | CRYSTAL 27.000 MHZ 12 PF SMD |
| H-22-6A-SB | DIAL SCALE 15 TURN CONCENTRIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFV18N60P | 功能描述:MOSFET 600V 18A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFV18N60PS | 功能描述:MOSFET 600V 18A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFV18N90P | 功能描述:MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFV18N90PS | 功能描述:MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFV20N80P | 功能描述:MOSFET 20 Amps 800V 0.52 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。