参数资料
型号: IXFV18N60P
厂商: IXYS
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描述: MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220
产品目录绘图: PLUS220 Package
标准包装: 50
系列: PolarHV™ HiPerFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 18A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 400 毫欧 @ 500mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 5.5V @ 2.5mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 50nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2500pF @ 25V
功率 - 最大: 360W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3(SMT)标片
供应商设备封装: PLUS220
包装: 管件
IXFH 18N60P
IXFV 18N60P IXFV 18N60PS
Fig. 13. Maximum Transient Thermal Resistance
1.000
0.100
0.010
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse W idth - Seconds
? 2006 IXYS All rights reserved
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PDF描述
FXO-HC526-164 OSC 164 MHZ 2.5V HCMOS SMD
5424.6253.301 MOD PWR INLET STD FILTER 6A PNL
A12KH SW TOGGLE SNAP SPDT R/A
5424.1151.151 MOD PWR INLET STD FILTER 1A PNL
D3C0205N SWITCH ROTARY DP-5POS OPEN FRAME
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参数描述
IXFV18N60PS 功能描述:MOSFET 600V 18A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFV18N90P 功能描述:MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFV18N90PS 功能描述:MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFV20N80P 功能描述:MOSFET 20 Amps 800V 0.52 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFV20N80PS 功能描述:MOSFET 20 Amps 800V 0.52 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube