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参数资料
| 型号： | IXFV22N50P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 22A PLUS220 |
| 产品目录绘图： | PLUS220 Package |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PolarHV™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 22A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 270 毫欧 @ 11A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 2.5mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 50nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2630pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 350W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3（SMT）标片 |
| 供应商设备封装： | PLUS220 |
| 包装： | 管件 |
IXFH 22N50P IXFV 22N50P
IXFV 22N50PS
35
30
Fig. 7. Input Adm ittance
40
35
Fig. 8. Transconductance
25
20
30
25
T J = -40 o C
25 o C
125 o C
20
15
10
5
0
T J = 125 o C
25 o C
-40 o C
15
10
5
0
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
0
5
10
15
20
25
30
35
40
70
V G S - Volts
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
60
50
40
9
8
7
6
5
V DS = 250V
I D = 11A
I G = 10mA
30
20
10
0
T J = 125 o C
T J = 25 o C
4
3
2
1
0
0.4
0.5
0.6
0.7 0.8
V S D - Volts
0.9
1
1.1
0
5
10
15 20 25 30 35
Q G - nanoCoulombs
40
45
50
10000
Fig. 11. Capacitance
f = 1MHz
100
Fig. 12. Forw ard-Bias
Safe Operating Area
R DS(on) Limit
1000
100
C iss
C oss
10
25μs
100μs
1ms
10
C rss
1
T J = 150oC
T C = 25oC
DC
10ms
0
5
10
15 20 25
V D S - Volts
30
35
40
10
100
V D S - Volts
1000
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| OPB473T11 | SWITCH SLOTTED OPTICAL PCB |
| OPB473P11 | SWITCH PHOTOLOGIC SLOTTD OPTICAL |
| XPEAMB-L1-R250-00201 | LED AMBER 500MA 3.45X3.45 SMD |
| XRCWHT-L1-0000-00508 | LED COOL WHITE 500MA 7X9 SMD |
| 482P2P144 | CABLE STR MALE-R/A MALE 2POS 12' |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFV22N50PS | 功能描述:MOSFET 500V 22A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFV22N60P | 功能描述:MOSFET 600V 22A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFV22N60PS | 功能描述:MOSFET 600V 22A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFV26N50P | 功能描述:MOSFET 500V 26A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFV26N50PS | 功能描述:MOSFET 500V 26A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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