参数资料
型号: IXFV22N50P
厂商: IXYS
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描述: MOSFET N-CH 500V 22A PLUS220
产品目录绘图: PLUS220 Package
标准包装: 50
系列: PolarHV™ HiPerFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 22A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 270 毫欧 @ 11A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 5.5V @ 2.5mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 50nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2630pF @ 25V
功率 - 最大: 350W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3(SMT)标片
供应商设备封装: PLUS220
包装: 管件
IXFH 22N50P IXFV 22N50P
IXFV 22N50PS
Fig. 13. Maxim um Transient Therm al Resistance
1.00
0.10
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width - milliseconds
? 2006 IXYS All rights reserved
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PDF描述
OPB473T11 SWITCH SLOTTED OPTICAL PCB
OPB473P11 SWITCH PHOTOLOGIC SLOTTD OPTICAL
XPEAMB-L1-R250-00201 LED AMBER 500MA 3.45X3.45 SMD
XRCWHT-L1-0000-00508 LED COOL WHITE 500MA 7X9 SMD
482P2P144 CABLE STR MALE-R/A MALE 2POS 12'
相关代理商/技术参数
参数描述
IXFV22N50PS 功能描述:MOSFET 500V 22A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFV22N60P 功能描述:MOSFET 600V 22A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFV22N60PS 功能描述:MOSFET 600V 22A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFV26N50P 功能描述:MOSFET 500V 26A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFV26N50PS 功能描述:MOSFET 500V 26A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube