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参数资料
| 型号： | IXFV26N50PS |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 26A PLUS220-SMD |
| 产品目录绘图： | PLUS220SMD |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PolarHV™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 26A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 230 毫欧 @ 13A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 60nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 400W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PLUS-220SMD |
| 供应商设备封装： | PLUS-220SMD |
| 包装： | 管件 |
IXFH 26N50P
IXFV 26N50P
IXFV 26N50PS
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
TO-247 AD (IXFH) Outline
g fs
C iss
V DS = 20 V; I D = 0.5 I D25 , pulse test
16
26
3600
S
pF
C oss
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
370
pF
1
2
3
Terminals:
1 - Gate
C rss
t d(on)
40
20
pF
ns
2 - Drain
3 - Source
Tab - Drain
t r
t d(off)
V GS = 10 V, V DS = 0.5 I D25
R G = 4 ? (External)
25
58
ns
ns
t f
20
ns
Dim.
Millimeter
Min. Max.
Inches
Min. Max.
Q g(on)
Q gs
Q gd
R thJC
R thCS
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 0.5 I D25
(TO-247, PLUS220)
60
20
25
0.21
nC
nC
nC
0.31 ° C/W
° C/W
A
A 1
A 2
b
b 1
b 2
C
D
E
4.7
2.2
2.2
1.0
1.65
2.87
.4
20.80
15.75
5.3
2.54
2.6
1.4
2.13
3.12
.8
21.46
16.26
.185
.087
.059
.040
.065
.113
.016
.819
.610
.209
.102
.098
.055
.084
.123
.031
.845
.640
e
L
5.20
19.81
5.72
20.32
0.205
.780
0.225
.800
Source-Drain Diode
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
L1
? P
Q
R
3.55
5.89
4.32
4.50
3.65
6.40
5.49
.140
0.232
.170
.177
.144
0.252
.216
I S
V GS = 0 V
26
A
S
6.15
BSC
242
BSC
I SM
V SD
t rr
Q RM
I RM
Repetitive
I F = I S , V GS = 0 V,
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
I F = 25A, -di/dt = 100 A/ μ s
V R = 100V, V GS = 0 V
0.6
6
104
1.5
200
A
V
ns
μ C
Α
PLUS220 (IXFV) Outline
PLUS220SMD (IXFV_S) Outline
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by 4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344
6,727,585
one or moreof the following U.S. patents:
4,850,072
4,881,106
5,017,508
5,034,796
5,063,307
5,187,117
5,381,025
5,486,715
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,534,343
6,583,505
6,710,405B2
6,710,463
6,759,692
6,771,478 B2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFV30N50PS | MOSFET N-CH 500V 30A PLUS220-SMD |
| IXFV36N50PS | MOSFET N-CH 500V 36A PLUS220-SMD |
| IXFV74N20PS | MOSFET N-CH 200V 74A PLUS220-S |
| IXFV96N15PS | MOSFET N-CH 150V 96A PLUS220-S |
| IXFX120N25P | MOSFET N-CH 250V 120A PLUS247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFV26N60P | 功能描述:MOSFET 600V 26A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFV26N60PS | 功能描述:MOSFET 600V 26A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFV30N50P | 功能描述:MOSFET 500V 30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFV30N50PS | 功能描述:MOSFET 500V 30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFV30N60P | 功能描述:MOSFET 600V 30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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