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参数资料
| 型号： | IXFV30N60P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 30A PLUS220 |
| 产品目录绘图： | PLUS220 Package |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PolarHV™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 30A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 240 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 82nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 500W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3（SMT）标片 |
| 供应商设备封装： | PLUS220 |
| 包装： | 管件 |
IXFH 30N60P IXFT 30N60P
IXFV 30N60P IXFV 30N60PS
30
Fig. 1. Output Characte ris tics
@ 25 o C
60
Fig. 2. Exte nde d Output Characte ris tics
@ 25 o C
27
24
21
18
V GS = 10V
8V
7V
6.5V
55
50
45
40
35
V GS = 10V
8V
7V
6.5V
15
30
12
6V
25
9
20
6V
6
5.5V
15
V D S - V olts
3
0
0
1
2
3 4
V D S - V olts
5
5V
6
7
8
10
5
0
0
3
6
9
12 15 18
5.5V
5V
21
24
27
30
30
Fig. 3. Output Characte ris tics
@ 125 o C
3.4
Fig. 4. R DS(on ) Norm alize d to I D = 15A
V alue vs . Junction Te m pe rature
27
24
21
18
V GS = 10V
7V
6V
3.1
2.8
2.5
2.2
V GS = 10V
15
12
9
6
3
0
5.5V
5V
4.5V
1.9
1.6
1.3
1
0.7
0.4
I D = 30A
I D = 15A
0
2
4
6
8 10
V D S - V olts
12
14
16
18
-50
-25
0 25 50 75 100
T J - Degrees Centigrade
125
150
3
Fig. 5. R DS(on) Nor m alize d to
I D = 15A V alue vs . Drain Curre nt
35
Fig. 6. Drain Curre nt vs . Cas e
Te m pe rature
2.8
2.6
2.4
V GS = 10V
T J = 125 o C
30
25
2.2
2
1.8
1.6
1.4
20
15
10
1.2
1
0.8
T J = 25 o C
5
0
0
5
10
15
20 25 30 35
I D - A mperes
40
45
50
55
60
-50
-25
0 25 50 75 100
T C - Degrees Centigrade
125
150
? 2006 IXYS All rights reserved
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTH50P10 | MOSFET P-CH 100V 50A TO-247AD |
| XMLHVW-Q0-0000-0000LT351 | LED XM-L HIGH VOLTAGE WHITE |
| OPB983P11Z | SWITCH SLOTTED OPT W/WIRE LEADS |
| XMLHVW-Q0-0000-0000LT2E3 | LED XM-L HIGH VOLTAGE WHITE |
| OPB983N11Z | SWITCH SLOTTED OPT W/WIRE LEADS |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFV30N60PS | 功能描述:MOSFET 600V 30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFV36N50P | 功能描述:MOSFET 500V 36A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFV36N50PS | 功能描述:MOSFET 500V 36A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFV52N30P | 功能描述:MOSFET 300V 52A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFV52N30PS | 功能描述:MOSFET 52 Amps 300V 0.066 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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