参数资料
型号: IXFV36N50P
厂商: IXYS
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描述: MOSFET N-CH 500V 36A PLUS220
产品目录绘图: PLUS220 Package
标准包装: 50
系列: Polar™ HiPerFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 36A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 170 毫欧 @ 500mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 5V @ 4mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 93nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 5500pF @ 25V
功率 - 最大: 540W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3(SMT)标片
供应商设备封装: PLUS220
包装: 管件
IXFH36N50P IXFV36N50P
IXFT36N50P IXFV36N50PS
Fig. 13. Maximum Transient Thermal Impedance
1
Fig. 13. Maximum Transient Thermal Impedance
0.4
0.1
0.01
aaaa
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width - Seconds
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
IXYS REF: F_36N50P (7J) 7-15-11-E
相关PDF资料
PDF描述
IXTV26N60PS MOSFET N-CH 600V 26A PLUS220-SMD
5639MA SWITCH TOGGLE MINI
A23AW SW TOGGLE BAT DPDT EXTENDED PC
FXO-PC736R-80 OSC 80 MHZ 3.3V PECL SMD
FXO-PC736R-91.4 OSC 91.4 MHZ 3.3V PECL SMD
相关代理商/技术参数
参数描述
IXFV36N50PS 功能描述:MOSFET 500V 36A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFV52N30P 功能描述:MOSFET 300V 52A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFV52N30PS 功能描述:MOSFET 52 Amps 300V 0.066 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFV74N20P 功能描述:MOSFET 74 Amps 200V 0.034 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFV74N20PS 功能描述:MOSFET 74 Amps 200V 0.034 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube