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参数资料
| 型号： | IXFX14N100 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 14A PLUS247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 750 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 220nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 360W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | PLUS247?-3 |
| 包装： | 管件 |
HiPerFET TM
V DSS
I D25
R DS(on)
Power MOSFETs
N-Channel Enhancement Mode
IXFH/IXFT/IXFX14N100 1000 V 14 A 0.75 W
IXFH/IXFT/IXFX15N100 1000 V 15 A 0.70 W
t rr ￡ 200 ns
High dv/dt, Low t rr , HDMOS TM Family
Preliminary data sheet
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
TO-247 AD
(IXFH)
V DSS
V DGR
V GS
V GSM
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M W
Continuous
Transient
1000
1000
± 20
± 30
V
V
V
V
(TAB)
I D25
I DM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
14N100
15N100
14N100
14
15
56
A
A
A
PLUS 247 TM
(IXFX)
15N100
60
A
I AR
E AR
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
14N100
15N100
14
15
45
A
A
mJ
G
D
(TAB)
dv/dt
I S ￡ I DM , di/dt ￡ 100 A/ m s, V DD ￡ V DSS ,
T J ￡ 150 ° C, R G = 2 W
5
V/ns
TO-268 (D3)
(IXFT)
P D
T J
T C = 25 ° C
360
-55 ... +150
W
° C
G
S
(TAB)
International standard packages
T JM
T stg
150
-55 ... +150
° C
° C
Features
q
T L
M d
Weight
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Mounting torque
300
1.13/10
6
° C
Nm/lb.in.
g
q
q
q
q
Low R DS (on) HDMOS TM process
Rugged polysilicon gate cell structure
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
Low package inductance
- easy to drive and to protect
q
Fast intrinsic Rectifier
DC-DC converters
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Applications
q
min. typ.
max.
q
q
Battery chargers
Switched-mode and resonant-mode
V DSS
V GS = 0 V, I D = 1 mA
1000
V
power supplies
V GS(th)
I GSS
V DS = V GS , I D = 4 mA
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
2.5
4.5
± 100
V
nA
q
q
q
DC choppers
AC motor control
Temperature and lighting controls
Easy to mount with 1 screw (TO-247)
I DSS
V DS = 0.8 ? V DSS
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
250
1
m A
mA
Advantages
q
V GS = 10 V, I D = 0.5 ? I D25
R DS(on)
14N100
15N100
Pulse test, t ￡ 300 m s, duty cycle d ￡ 2 %
0.75
0.70
W
W
q
q
(isolated mounting screw hole) or
mounting clip or spring (PLUS 247 TM )
High power surface mountable package
High power density
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
? 2000 IXYS All rights reserved
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| A12515RNCQ | SWITCH ROTARY SP 8POS PC MNT |
| FVXO-PC53B-160 | OSC 160 MHZ 3.3V PECL SMD |
| SI3529DV-T1-E3 | MOSFET N/P-CH 40V 6-TSOP |
| FVXO-LC73BR-1.163 | OSC 1.163 MHZ 3.3V LVDS SMD |
| IXFT80N08 | MOSFET N-CH 80V 80A TO-268 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFX150N15 | 功能描述:MOSFET 150 Amps 150V 0.0125 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX150N30P3 | 功能描述:MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX15N100 | 功能描述:MOSFET 1KV 15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX160N30T | 功能描述:MOSFET 160A 300V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX16N90 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs |
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