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参数资料
| 型号： | IXFX14N100 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 14A PLUS247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 750 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 220nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 360W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | PLUS247?-3 |
| 包装： | 管件 |
12
IXFH14N100
IXFH15N100
5000
IXFT14N100
IXFT15N100
IXFX15N100
IXFX14N100
10
8
6
4
DS 500V
Vds=300V
7.5A
I D =30A
I G =10mA
2500
1000
500
Ciss
Coss
Crss
f = 1MHz
2
250
0
0
40
80
120
160
200
240
280
100
0
5
10
15
20
25
30
35
40
Gate Charge - nC
V DS - Volts
40
32
24
16
8
Fig.7 Gate Charge Characteristic Curve
T J = 125 O C
T J = 25 O C
Fig.8
Capacitance Curves
0
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
V SD - Volts
Fig.9 Source current vs Source drain voltage.
1
0.1
Single pulse
0.01
10 -3
10 -2
10 -1
10 0
10 1
Pulse Width - Seconds
Fig.10 Transient Thermal Impedance
? 2000 IXYS All rights reserved
4-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| A12515RNCQ | SWITCH ROTARY SP 8POS PC MNT |
| FVXO-PC53B-160 | OSC 160 MHZ 3.3V PECL SMD |
| SI3529DV-T1-E3 | MOSFET N/P-CH 40V 6-TSOP |
| FVXO-LC73BR-1.163 | OSC 1.163 MHZ 3.3V LVDS SMD |
| IXFT80N08 | MOSFET N-CH 80V 80A TO-268 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFX150N15 | 功能描述:MOSFET 150 Amps 150V 0.0125 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX150N30P3 | 功能描述:MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX15N100 | 功能描述:MOSFET 1KV 15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX160N30T | 功能描述:MOSFET 160A 300V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX16N90 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs |
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