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参数资料
| 型号： | IXFX24N100 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS 247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 24A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 390 毫欧 @ 12A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 267nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 8700pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 560W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | PLUS247?-3 |
| 包装： | 管件 |
HiPerFET TM Power
MOSFETs
N-Channel Enhancement Mode
IXFK24N100
IXFX24N100
V DSS
I D25
R DS(on)
t rr
=
=
≤
≤
1000V
24A
390m Ω
250ns
Avalanche Rated
Fast Intrisic Diode
TO-264 (IXFK)
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
1000
1000
V
V
V GSS
V GSM
Continuous
Transient
± 20
± 30
V
V
G
D
S
(TAB)
I D25
I DM
I A
E AS
dV/dt
P D
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 150 ° C
T C = 25 ° C
24
96
24
3
5
560
A
A
A
J
V/ns
W
PLUS247 (IXFX)
(TAB)
T J
T JM
T stg
-55 ... +150
150
-55 ... +150
° C
° C
° C
G = Gate
S = Source
D = Drain
TAB = Drain
T L
T SOLD
1.6mm (0.062 in.) from case for 10s
Plastic body for 10s
300
260
° C
° C
Features
M d
Weight
Mounting force
Mounting torque
PLUS247
TO-264
(PLUS247)
(TO-264)
20..120/4.5..27
1.13/10
6
10
N/lb.
Nm/lb.in.
g
g
?
?
?
?
International standard packages
Low R DS (on) HDMOS TM process
Rugged polysilicon gate cell structure
Avalanche rated
?
?
Low package inductance
Fast intrinsic rectifier
Applications
? DC-DC converters
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
BV DSS V GS = 0V, I D = 3mA
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
1000 V
? Battery chargers
? Switched-mode and resonant-mode
power supplies
? DC choppers
V GS(th)
V DS = V GS , I D = 8mA
3.0
5.5
V
? AC motor drives
? Temperature and lighting controls
I GSS
I DSS
R DS(on)
V GS = ± 20V, V DS = 0V
V DS = V DSS
V GS = 0V
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
T J = 125 ° C
± 200 nA
100 μ A
2 mA
390 m Ω
Advantages
? PLUS 247 TM package for clip or spring
mounting
? Space savings
? High power density
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
DS98598D(10/08)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFX250N10P | MOSFET N-CH 100V 250A PLUS247 |
| IXFX260N17T | MOSFET N-CH 260A 170V PLUS247 |
| IXFX26N120P | MOSFET N-CH 1200V 26A PLUS247 |
| IXFX32N50 | MOSFET N-CH 500V 32A PLUS247 |
| IXFX360N10T | MOSFET N-CH 100V 360A PLUS247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFX24N100F | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX24N100Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/24A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX24N120Q2 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs Q-Class |
| IXFX24N90Q | 功能描述:MOSFET 24 Amps 900V 0.45 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX250N10P | 功能描述:MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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