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参数资料
| 型号： | IXFX26N120P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1200V 26A PLUS247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | Polar™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1200V（1.2kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 26A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 500 毫欧 @ 13A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 6.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 225nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 16000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 960W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | PLUS247?-3 |
| 包装： | 管件 |
Polar TM HiPerFET TM
Power MOSFETs
N-Channel Enhancement Mode
IXFK26N120P
IXFX26N120P
V DSS =
I D25 =
R DS(on) ≤
t rr ≤
1200V
26A
500m Ω
300ns
Avalanche Rated
Fast Intrinsic Diode
TO-264 (IXFK)
Symbol
V DSS
V DGR
V GSS
V GSM
I D25
I DM
Test Conditions
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, Pulse Width Limited by T JM
Maximum Ratings
1200
1200
± 30
± 40
26
60
V
V
V
V
A
A
G
D
S
PLUS247 (IXFX)
Tab
I A
E AS
P D
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
13
1.5
960
A
J
W
G
D
S
Tab
dv/dt
T J
T JM
T stg
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 150°C
20
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V/ns
° C
° C
° C
G = Gate
S = Source
D = Drain
Tab = Drain
T L
T SOLD
M d
F C
Weight
1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s
Plastic Body for 10s
Mounting Torque (TO-264)
Mounting Force (PLUS247)
TO-264
PLUS247
300
260
1.13/10
20..120 /4.5..27
10
6
° C
° C
Nm/lb.in.
N/lb.
g
g
Features
Fast Intrinsic Diode
Dynamic dv/dt Rating
Avalanche Rated
Low R DS(ON) and Q G
Low Package Inductance
Advantages
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
High Power Density
Easy to Mount
Space Savings
BV DSS
V GS = 0V, I D = 3mA
1200
V
V GS(th)
I GSS
V DS = V GS , I D = 1mA
V GS = ± 30V, V DS = 0V
3.5
6.5
± 200
V
nA
Applications
Switch-Mode and Resonant-Mode
I DSS
V DS = V DSS , V GS = 0V
T J = 125 ° C
50 μ A
5 mA
Power Supplies
DC-DC Converters
Discharger Circuits in Lesers Pulsers,
R DS(on)
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
500 m Ω
Spark Igniters, RF Generators
High Voltage Pulse Power Supplies
AC and DC Motor Drives
High Speed Power Switching
Application
? 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS99740H(10/11)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFX32N50 | MOSFET N-CH 500V 32A PLUS247 |
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| IXFX55N50F | MOSFET N-CH 500V 55A PLUS247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFX26N60Q | 功能描述:MOSFET 28 Amps 600V 0.25 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX26N90 | 功能描述:MOSFET 26 Amps 900V 0.3 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX27N80Q | 功能描述:MOSFET 27 Amps 800V 0.32 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX30N100Q2 | 功能描述:MOSFET 30 Amps 1000V 0.35 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX30N110P | 功能描述:MOSFET 30 Amps 1100V 0.3600 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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