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参数资料
| 型号： | IXFX55N50F |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 55A PLUS247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerRF™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 55A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 85 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 195nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6700pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 560W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | PLUS247?-3 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | Q1649656 |
Advance Technical Information
HiPerRF TM
Power MOSFETs
F-Class: MegaHertz Switching
N-Channel Enhancement Mode
IXFK55N50F
IXFX55N50F
V DSS =
I D25 =
R DS(on) ≤
t rr ≤
500V
55A
85m Ω
250ns
Avalanche Rated
Low Q g , Low Intrinsic R g
High dV/dt, Low t rr
TO-264 (IXFK)
Symbol
V DSS
V DGR
Test Conditions
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
Maximum Ratings
500
500
V
V
G
D
S
(TAB)
V GSS
V GSM
I D25
I DM
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, Pulse Width Limited by T JM
± 20
± 30
55
220
V
V
A
A
PLUS247 (IXFX)
I AR
E AS
dv/dt
P D
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 Ω
T C = 25 ° C
55
3
10
560
A
J
V/ns
W
G = Gate
S = Source
(TAB)
D = Drain
TAB = Drain
T J
T JM
T stg
T L
T SOLD
M d
F C
Weight
1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s
Plastic Body for 10s
Mounting Torque (TO-264)
Mounting Force (PLUS247)
TO-264
PLUS247
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
260
1.13/10
20..120 /4.5..27
10
6
° C
° C
° C
° C
° C
Nm/lb.in.
N/lb.
g
g
Features
RF capable Mosfets
Rugged polysilicon gate cell structure
Double metal process for low gate
resistance
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
Low package inductance
- easy to drive and to protect
Fast intrinsic rectifier
Applications
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
DC-DC converters
Switched-mode and resonant-mode
power supplies, >500kHz switching
BV DSS
V GS = 0V, I D = 1mA
500
V
DC choppers
Pulse generation
V GS(th)
I GSS
V DS = V GS , I D = 8mA
V GS = ± 20V, V DS = 0V
3.0
5.5
± 200
V
nA
Laser drivers
Advantages
I DSS
V DS = V DSS
V GS = 0V
T J = 125 ° C
100 μ A
3 mA
PLUS 247 TM package for clip or spring
mounting
R DS(on)
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
85 m Ω
Space savings
High power density
? 2002 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS98855A(9/02)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFX60N55Q2 | MOSFET N-CH 550V 60A PLUS247 |
| IXFX62N25 | MOSFET N-CH 250V 62A PLUS247 |
| IXFX64N50P | MOSFET N-CH 500V 64A PLUS247 |
| IXFX64N60P | MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247 |
| IXFX74N50P2 | MOSFET N-CH 500V 74A PLUS247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFX60N55Q2 | 功能描述:MOSFET 60 Amps 550V 0.09 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX62N25 | 功能描述:MOSFET 62 Amps 250V 0.035 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX64N50P | 功能描述:MOSFET 64.0 Amps 500 V 0.09 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX64N50Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/64A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX64N60P | 功能描述:MOSFET MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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