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参数资料
| 型号： | IXFX55N50F |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 55A PLUS247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerRF™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 55A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 85 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 195nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6700pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 560W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | PLUS247?-3 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | Q1649656 |
IXFK55N50F
IXFX55N50F
Fig. 7. Gate Charge Characteristic Curve
15
V DS = 250V
I D = 27.5A
Fig. 8. Capacitance Curves
10000
Ciss
5000
10
5
2500
1000
Coss
f = 1MHz
Crss
500
0
250
0
50
100
150
200
250
300
0
5
10
15
20
25
30
Gate Charge - nC
Fig. 9. Source Current vs. Source to Drain Voltage
25
20
15
V DS - Volts
T J = 125 C
T J = 25 C
10
5
0
O
O
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V SD - Volts
Fig. 10. Thermal Impedance
1
0.1
Single Pulse
0.01
0.001
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
10 0
10 1
Pulse Width - Seconds
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFX60N55Q2 | MOSFET N-CH 550V 60A PLUS247 |
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| IXFX64N50P | MOSFET N-CH 500V 64A PLUS247 |
| IXFX64N60P | MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247 |
| IXFX74N50P2 | MOSFET N-CH 500V 74A PLUS247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFX60N55Q2 | 功能描述:MOSFET 60 Amps 550V 0.09 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX62N25 | 功能描述:MOSFET 62 Amps 250V 0.035 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX64N50P | 功能描述:MOSFET 64.0 Amps 500 V 0.09 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX64N50Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/64A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX64N60P | 功能描述:MOSFET MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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