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参数资料
| 型号： | IXFX55N50F |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 55A PLUS247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerRF™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 55A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 85 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 195nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6700pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 560W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | PLUS247?-3 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | Q1649656 |
IXFK 55N50F
IXFX 55N50F
Fig. 1. Output Characteristics at 25 o C
140
Fig. 2. Output Characteristics at 125 o C
100
120
T J = 25 O C
V GS = 10V
9V
80
T J = 125 O C
V GS = 10V
9V
8V
100
8V
80
60
40
7V
60
40
7V
6V
20
0
6V
5V
20
0
5V
0
2
4
6
8
10
12
0
6
12
18
V DS - Volts
Fig. 3. R DS(ON) vs. Drain Current
4.0
Fig. 4. R DS(ON) vs. T J
3
V DS - Volts
3.5
3.0
2.5
V GS = 10V
T J = 150 O C
2
V GS = 10V
I D = 55A
2.0
1.5
1.0
T J = 25 O C
1
I D = 27.5A
0.5
0
10
20
30
40
50
0
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
Fig. 5. Drain Current vs. Case Temperature
60
55
50
45
40
35
30
T J - Degrees C
Fig. 6. Admittance Curves
20
15
10
25
20
15
10
5
5
T J = 125 o C
T J = 25 o C
T J = -40 o C
0
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
T C - Degrees C
? 2002 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
V GS - Volts
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFX60N55Q2 | MOSFET N-CH 550V 60A PLUS247 |
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| IXFX64N50P | MOSFET N-CH 500V 64A PLUS247 |
| IXFX64N60P | MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247 |
| IXFX74N50P2 | MOSFET N-CH 500V 74A PLUS247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFX60N55Q2 | 功能描述:MOSFET 60 Amps 550V 0.09 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX62N25 | 功能描述:MOSFET 62 Amps 250V 0.035 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX64N50P | 功能描述:MOSFET 64.0 Amps 500 V 0.09 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX64N50Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/64A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX64N60P | 功能描述:MOSFET MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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