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参数资料
| 型号： | IXFX50N50 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 50A PLUS247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 330nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 520W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | PLUS247?-3 |
| 包装： | 管件 |
HiPerFET TM
Power MOSFETs
Single Die MOSFET
Preliminary data sheet
IXFX 50N50
IXFX 55N50
V DSS I D25 R DS(on)
500 V 50 A 100 m ?
500 V 55 A 80 m ?
t rr ≤ 250 ns
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
PLUS 247 TM
(IXFX)
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
500
500
V
V
V GS
V GSM
I D25
I DM
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
50N50
55N50
50N50
± 20
± 30
50
55
200
V
V
A
A
A
G
D
D (TAB)
I AR
E AR
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
55N50
50N50
55N50
220
50
55
60
A
A
A
mJ
International standard package
E AS
dv/dt
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 ?
3
5
J
V/ns
Features
l
P D
T J
T JM
T stg
T L
M d
T C = 25 ° C
1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s
Mounting torque
520
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
1.13/10
W
° C
° C
° C
° C
Nm/lb.in.
l
l
l
l
l
Low R DS (on) HDMOS TM process
Rugged polysilicon gate cell structure
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
Low package inductance
- easy to drive and to protect
Fast intrinsic rectifier
Weight
6
g
Applications
l
DC-DC converters
l
Battery chargers
Symbol
V DSS
Test Conditions
V GS = 0 V, I D = 1mA
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
500 V
l
l
l
l
Switched-mode and resonant-mode
power supplies
DC choppers
AC motor control
Temperature and lighting controls
V GS(th)
V DS = V GS , I D = 8mA
2.5
4.5
V
I GSS
V GS = ± 20 V, V DS = 0
± 200
nA
Advantages
I DSS
R DS(on)
V DS = V DSS
V GS = 0 V
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25
Note 1
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
50N50
55N50
25
2
100
80
μ A
mA
m ?
m ?
l
l
l
PLUS 247 TM package for clip or spring
mounting
Space savings
High power density
? 2002 IXYS All rights reserved
98507D (04/02)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFX55N50F | MOSFET N-CH 500V 55A PLUS247 |
| IXFX60N55Q2 | MOSFET N-CH 550V 60A PLUS247 |
| IXFX62N25 | MOSFET N-CH 250V 62A PLUS247 |
| IXFX64N50P | MOSFET N-CH 500V 64A PLUS247 |
| IXFX64N60P | MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFX520N075T2 | 功能描述:MOSFET TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 75V 520A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX52N60Q2 | 功能描述:MOSFET 52 Amps 600V 0.12 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX55N50 | 功能描述:MOSFET 500V 55A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX55N50F | 功能描述:MOSFET 500V 55A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX60N55Q2 | 功能描述:MOSFET 60 Amps 550V 0.09 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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