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参数资料
| 型号： | IXFX48N60P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 48A PLUS247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarHV™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 48A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 135 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 150nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 8860pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 830W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | PLUS247?-3 |
| 包装： | 管件 |
PolarHV TM HiPerFET
Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
IXFK 48N60P
IXFX 48N60P
V DSS
I D2
R DS(on)
t rr
=
=
≤
≤
600 V
48 A
135m ?
200 ns
Fast Intrinsic Diode
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
TO-264 (IXFK)
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
600
600
V
V
V GSS
Continuous
± 30
V
G
V GSM
Transient
± 40
V
D
S
(TAB)
I D25
T C = 25 ° C
48
A
I DM
I AR
E AR
E AS
dv/dt
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
110
48
70
2.0
20
A
A
mJ
J
V/ns
PLUS247 (IXFX)
T J ≤ 150 ° C, R G = 4 ?
(TAB)
P D
T C = 25 ° C
830
W
T J
T JM
T stg
-55 ... +150
150
-55 ... +150
° C
° C
° C
G = Gate
S = Source
D = Drain
Tab = Drain
M d
Mounting torque (TO-264)
1.13/10 Nm/lb.in.
Weight
TO-264
PLUS247
10
6
g
g
Features
T L
T SOLD
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Plastic body for 10 s
300
260
° C
° C
l
l
l
International standard packages
Fast recovery diode
Unclamped Inductive Switching (UIS)
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
l
rated
Low package inductance
- easy to drive and to protect
BV DSS
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
600
V
V GS(th)
V DS = V GS , I D = 8 mA
3.0
5.0
V
Advantages
I GSS
V GS = ± 30 V DC , V DS = 0
± 200
nA
l
Easy to mount
I DSS
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 125 ° C
25
1000
μ A
μ A
l
l
Space savings
High power density
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
135
m ?
? 2006 IXYS All rights reserved
DS99375E(02/06)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFX50N50 | MOSFET N-CH 500V 50A PLUS247 |
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| IXFX60N55Q2 | MOSFET N-CH 550V 60A PLUS247 |
| IXFX62N25 | MOSFET N-CH 250V 62A PLUS247 |
| IXFX64N50P | MOSFET N-CH 500V 64A PLUS247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFX48N60Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/48A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX50N50 | 功能描述:MOSFET 50 Amps 500V 0.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX520N075T2 | 功能描述:MOSFET TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 75V 520A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX52N60Q2 | 功能描述:MOSFET 52 Amps 600V 0.12 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX55N50 | 功能描述:MOSFET 500V 55A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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