参数资料
型号: IXFX48N60P
厂商: IXYS
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文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 600V 48A PLUS247
标准包装: 30
系列: PolarHV™ HiPerFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 48A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 135 毫欧 @ 500mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 5V @ 8mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 150nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 8860pF @ 25V
功率 - 最大: 830W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商设备封装: PLUS247?-3
包装: 管件
IXFK 48N60P IXFX 48N60P
80
70
60
Fig. 7. Input Adm ittance
100
90
80
70
Fig. 8. Transconductance
50
T J = 125oC
60
40
30
20
10
0
25oC
-40oC
50
40
30
20
10
0
T J = -40oC
25oC
125oC
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
160
V G S - Volts
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
140
120
100
80
60
9
8
7
6
5
4
V DS = 300V
I D = 24A
I G = 10mA
40
20
0
T J = 125oC
T J = 25oC
3
2
1
0
0.4
0.5
0.6
0.7 0.8 0.9
V S D - Volts
1
1.1
1.2
1.3
0
20
40 60 80 100 120
Q G - nanoCoulombs
140
160
100000
10000
Fig. 11. Capacitance
f = 1MHz
C iss
Fig. 13. Maxim um Transient Therm al
Resistance
1.00
1000
C oss
0.10
100
10
C rss
0.01
0
5
10
15
20
25
30
35
40
1
10
100
1000
V D S - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
Pulse Width - milliseconds
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IXFX50N50 功能描述:MOSFET 50 Amps 500V 0.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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