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参数资料
| 型号： | IXFX320N17T2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 170V 320A PLUS247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | GigaMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 170V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 320A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.2 毫欧 @ 60A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 640nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 45000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1670W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | PLUS247?-3 |
| 包装： | 管件 |
IXFK320N17T2
IXFX320N17T2
200
Fig. 7. Input Admittance
400
Fig. 8. Transconductance
180
350
T J = - 40oC
160
300
140
120
250
25oC
100
80
60
T J = 150oC
25oC
- 40oC
200
150
100
150oC
40
20
0
50
0
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
V GS - Volts
I D - Amperes
400
350
300
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
10
9
8
7
V DS = 85V
I D = 160A
I G = 10mA
Fig. 10. Gate Charge
250
200
150
T J = 150oC
6
5
4
3
100
50
0
T J = 25oC
2
1
0
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
0
100
200
300
400
500
600
700
100.0
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
1,000.0
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
R DS(on) Limit
25μs
Ciss
100.0
External Lead Limit
100μs
10.0
1.0
Coss
10.0
1ms
f = 1 MHz
Crss
1.0
T J = 175oC
T C = 25oC
Single Pulse
10ms
100ms
DC
0.1
0.1
0
5
10
15
20
25
30
35
40
1
10
100
1,000
V DS - Volts
V DS - Volts
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
IXYS REF:F_320N17T2(9V)9-02-09
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MTSMC-G-F4-V.R1-SP | MODEM SOCKET QUAD-BAND GPRS 5V |
| IXFX360N15T2 | MOSFET N-CH 150V 360A PLUS247 |
| MTSMC-G-F4.R1-SP | MODEM SOCKET QUAD-BAND GPRS 5V |
| LP0603A1842ALTR | LOW PASS FILTER 1842MHZ 0603 SMD |
| MTMMC-C-N16.R2 | MODEM SOCKET CDMA 800/1900 5V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFX32N100P | 功能描述:MOSFET 32 Amps 1000V 0.32 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX32N100Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/32A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX32N50 | 功能描述:MOSFET 32 Amps 500V 0.16 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX32N50Q | 功能描述:MOSFET 32 Amps 500V 0.15 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX32N80P | 功能描述:MOSFET 32 Amps 800V 0.27 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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