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参数资料
| 型号： | IXFX320N17T2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 170V 320A PLUS247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | GigaMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 170V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 320A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.2 毫欧 @ 60A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 640nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 45000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1670W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | PLUS247?-3 |
| 包装： | 管件 |
IXFK320N17T2
IXFX320N17T2
380
Fig. 13. Resistive Turn-on Rise Time
vs. Junction Temperature
360
Fig. 14. Resistive Turn-on Rise Time
vs. Drain Current
340
R G = 1 ? , V GS = 10V
V DS = 85V
I
D
= 200A
320
280
R G = 1 ? , V GS = 10V
V DS = 85V
300
240
260
200
220
160
120
T J = 125oC
180
I
D
= 100A
80
T J = 25oC
140
100
40
0
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
40
60
80
100
120
140
160
180
200
T J - Degrees Centigrade
Fig. 15. Resistive Turn-on Switching Times
vs. Gate Resistance
I D - Amperes
Fig. 16. Resistive Turn-off Switching Times
vs. Junction Temperature
700
240
700
220
600
t r t d(on) - - - -
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 85V
200
600
500
t f t d(off) - - - -
R G = 1 ? , V GS = 10V
V DS = 85V
200
180
500
I D = 200A
160
400
160
400
I D = 100A
120
300
I D = 200A
I D = 100A
140
300
200
100
80
40
0
200
100
0
120
100
80
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
R G - Ohms
Fig. 17. Resistive Turn-off Switching Times
vs. Drain Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 18. Resistive Turn-off Switching Times
vs. Gate Resistance
700
220
800
800
600
500
200
180
700
600
t f t d(off) - - - -
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 85V
I D = 200A
700
600
400
t f t d(off) - - - -
R G = 1 ? , V GS = 10V
T J = 125oC
160
500
500
V DS = 85V
300
140
400
400
I D = 100A
200
100
0
T J = 25oC
120
100
80
300
200
100
300
200
100
40
60
80
100
120
140
160
180
200
1
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3
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6
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9
10
I D - Amperes
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
R G - Ohms
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MTSMC-G-F4-V.R1-SP | MODEM SOCKET QUAD-BAND GPRS 5V |
| IXFX360N15T2 | MOSFET N-CH 150V 360A PLUS247 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFX32N100P | 功能描述:MOSFET 32 Amps 1000V 0.32 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX32N100Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/32A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX32N50 | 功能描述:MOSFET 32 Amps 500V 0.16 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX32N50Q | 功能描述:MOSFET 32 Amps 500V 0.15 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX32N80P | 功能描述:MOSFET 32 Amps 800V 0.27 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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