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参数资料
| 型号： | IXFX360N15T2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 360A PLUS247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | GigaMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 360A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4 毫欧 @ 60A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 715nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 47500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1670W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | PLUS247?-3 |
| 包装： | 管件 |
IXFK360N15T2
IXFX360N15T2
Fig. 1. Output Characteristics
@ T J = 25oC
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ T J = 25oC
350
300
250
200
150
100
50
V GS = 15V
10V
8V
7V
6V
5V
350
300
250
200
150
100
50
V GS = 10V
7V
6V
5V
4V
0
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ T J = 150oC
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 180A Value vs.
Junction Temperature
350
300
V GS = 10V
8V
7V
3.0
2.6
V GS = 10V
250
6V
2.2
I D = 360A
200
1.8
I D = 180A
150
100
50
0
5V
4V
1.4
1.0
0.6
0.2
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
3.4
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 180A Value vs.
Drain Current
180
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case Temperature
3.0
V GS = 10V
160
External Lead Current Limit
140
2.6
2.2
1.8
T J = 175oC
120
100
80
60
1.4
1.0
0.6
T J = 25oC
40
20
0
0
50
100
150
200
250
300
350
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
I D - Amperes
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
T C - Degrees Centigrade
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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