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参数资料
| 型号： | IXFX360N15T2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 360A PLUS247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | GigaMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 360A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4 毫欧 @ 60A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 715nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 47500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1670W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | PLUS247?-3 |
| 包装： | 管件 |
IXFK360N15T2
IXFX360N15T2
340
Fig. 13. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Junction Temperature
R G = 1 ? , V GS = 10V
300
Fig. 14. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Drain Current
R G = 1 ? , V GS = 10V
300
V DS = 75V
260
V DS = 75V
260
220
180
140
I
I
D
D
= 100A
= 200A
220
180
140
100
T J = 25oC
T J = 125oC
100
60
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
40
60
80
100
120
140
160
180
200
T J - Degrees Centigrade
Fig. 15. Resistive Turn-on
Switching Times vs. Gate Resistance
I D - Amperes
Fig. 16. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Junction Temperature
700
210
700
220
600
t r t d(on) - - - -
T J = 125oC, V GS = 10V
180
600
t f t d(off) - - - -
R G = 1 ? , V GS = 10V
200
500
V DS = 75V
I D = 200A
150
500
V DS = 75V
180
400
120
400
160
300
200
100
0
I D = 100A
90
60
30
0
300
200
100
0
I D = 200A
I D = 100A
140
120
100
80
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
R G - Ohms
Fig. 17. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Drain Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 18. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Gate Resistance
700
240
900
900
600
500
400
t f t d(off) - - - -
R G = 1 ? , V GS = 10V
V DS = 75V
T J = 125oC
220
200
180
800
700
600
500
t f t d(off) - - - -
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 75V
I D = 200A, 100A
800
700
600
500
300
160
400
400
200
100
0
T J = 25oC
140
120
100
300
200
100
300
200
100
40
60
80
100
120
140
160
180
200
1
2
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5
6
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8
9
10
I D - Amperes
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
R G - Ohms
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PDF描述 |
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参数描述 |
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