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参数资料
| 型号： | IXFX44N60 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 44A PLUS247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 44A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 130 毫欧 @ 22A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 330nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 8900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 560W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | PLUS247?-3 |
| 包装： | 管件 |
IXFK 44N60
IXFX 44N60
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ.
max.
PLUS247 TM (IXFX) Outline
g fs
V DS = 10 V; I D = 0.5 ? I D25
Note 1
30
45
S
C iss
8900
pF
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
R G = 1 W (External),
1000
330
40
50
100
40
pF
pF
ns
ns
ns
ns
Q g(on)
330
nC
Dim.
Millimeter
Min. Max.
Inches
Min. Max.
Q gs
Q gd
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
60
65
nC
nC
A
A 1
A 2
4.83 5.21
2.29 2.54
1.91 2.16
.190 .205
.090 .100
.075 .085
b
1.14 1.40
.045 .055
R thJC
R thCK
0.15
0.22
K/W
K/W
b 1
b 2
C
1.91 2.13
2.92 3.12
0.61 0.80
.075 .084
.115 .123
.024 .031
D
E
e
20.80 21.34
15.75 16.13
5.45 BSC
.819 .840
.620 .635
.215 BSC
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
L
L1
Q
19.81 20.32
3.81 4.32
5.59 6.20
.780 .800
.150 .170
.220 .244
Symbol
Test Conditions
min.
typ.
max.
R
4.32 4.83
.170 .190
I S
I SM
V GS = 0 V
Repetitive;
44
176
A
A
TO-264 AA (IXFK) Outline
pulse width limited by T JM
V SD
t rr
Q RM
I RM
I F = I S , V GS = 0 V, Note 1
I F = 50A,-di/dt = 100 A/ m s, V R = 100 V
1.4
8
1.3
250
V
ns
m C
A
Note: 1. Pulse test, t ￡ 300 m s, duty cycle d ￡ 2 %
Dim.
Millimeter
Min. Max.
Inches
Min. Max.
A
A1
A2
b
b1
b2
c
D
E
e
J
K
L
L1
P
Q
Q1
R
R1
S
T
4.82
2.54
2.00
1.12
2.39
2.90
0.53
25.91
19.81
5.46
0.00
0.00
20.32
2.29
3.17
6.07
8.38
3.81
1.78
6.04
1.57
5.13
2.89
2.10
1.42
2.69
3.09
0.83
26.16
19.96
BSC
0.25
0.25
20.83
2.59
3.66
6.27
8.69
4.32
2.29
6.30
1.83
.190 .202
.100 .114
.079 .083
.044 .056
.094 .106
.114 .122
.021 .033
1.020 1.030
.780 .786
.215 BSC
.000 .010
.000 .010
.800 .820
.090 .102
.125 .144
.239 .247
.330 .342
.150 .170
.070 .090
.238 .248
.062 .072
? 2000 IXYS All rights reserved
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025
2-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MICRF600Z | TXRX ISM 902-928MHZ 11.5X14.1MM |
| GLCB06A1B-4 | SWITCH ROTARY SIDE |
| GLCB06A1B-3 | SWITCH ROTARY SIDE |
| GLCA06A1B-4 | SWITCH ROTARY SIDE |
| GLCA01A1B-3 | SWITCH ROTARY SIDE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFX44N80P | 功能描述:MOSFET 44 Amps 800V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX44N80Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/44A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX48N50Q | 功能描述:MOSFET 48 Amps 500V 0.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX48N55 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs |
| IXFX48N60P | 功能描述:MOSFET 600V 48A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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