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参数资料
| 型号： | IXFX44N60 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 44A PLUS247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 44A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 130 毫欧 @ 22A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 330nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 8900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 560W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | PLUS247?-3 |
| 包装： | 管件 |
IXFK 44N60
IXFX 44N60
Figure 7. Gate Charge
12
Figure 8. Capacitance Curves
10000
10
8
6
V DS = 300V
I D = 30A
I G = 10mA
1000
Ciss
f = 1MHz
Coss
4
2
Crss
0
0
50 100 150 200 250 300 350 400
100
0
5
10
15
20
25
30
35
40
Gate Charge - nC
Figure 9. Forward Voltage Drop of the Intrinsic Diode
100
80
T J = 125 O C
60
V DS - Volts
40
20
T J = 25 O C
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V SD - Volts
Figure 10. Transient Thermal Resistance
1.00
0.10
0.01
0.00
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
10 0
10 1
Pulse Width - Seconds
? 2000 IXYS All rights reserved
4-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MICRF600Z | TXRX ISM 902-928MHZ 11.5X14.1MM |
| GLCB06A1B-4 | SWITCH ROTARY SIDE |
| GLCB06A1B-3 | SWITCH ROTARY SIDE |
| GLCA06A1B-4 | SWITCH ROTARY SIDE |
| GLCA01A1B-3 | SWITCH ROTARY SIDE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFX44N80P | 功能描述:MOSFET 44 Amps 800V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX44N80Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/44A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX48N50Q | 功能描述:MOSFET 48 Amps 500V 0.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX48N55 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs |
| IXFX48N60P | 功能描述:MOSFET 600V 48A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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