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参数资料
| 型号： | IXFX55N50 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 55A PLUS247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 55A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 80 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 330nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 520W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | PLUS247?-3 |
| 包装： | 管件 |
IXFX 50N50
IXFX 55N50
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
PLUS 247 TM Outline
g fs
C iss
V DS = 10 V; I D = 0.5 I D25
Note 1
45
9400
S
pF
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 0.5 I D25
R G = 2 ? (External),
1280
460
45
60
120
pF
pF
ns
ns
ns
t f
45
ns
Terminals:
1 - Gate
2 - Drain (Collector)
Q g(on)
330
nC
3 - Source (Emitter)
4 - Drain (Collector)
Q gs
Q gd
R thJC
R thCK
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 0.5 I D25
55
155
0.15
0.22
nC
nC
K/W
K/W
Dim.
A
A 1
A 2
b
b 1
Millimeter
Min. Max.
4.83 5.21
2.29 2.54
1.91 2.16
1.14 1.40
1.91 2.13
Inches
Min. Max.
.190 .205
.090 .100
.075 .085
.045 .055
.075 .084
b 2
C
2.92 3.12
0.61 0.80
.115 .123
.024 .031
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
D
E
e
20.80 21.34
15.75 16.13
5.45 BSC
.819 .840
.620 .635
.215 BSC
Symbol
Test Conditions
min.
typ.
max.
L
19.81 20.32
.780 .800
L1
3.81 4.32
.150 .170
I S
V GS = 0 V
55N50
50N50
55
50
A
A
Q
R
5.59 6.20
4.32 4.83
.220 0.244
.170 .190
I SM
V SD
t rr
Repetitive;
pulse width limited by T JM
I F = I S , V GS = 0 V
55N50
50N50
Note 1
220
200
1.5
250
A
A
V
ns
Q RM
I RM
I F =25 A,-di/dt = 100 A/ μ s, V R = 100 V
1.0
10
μ C
A
Note: 1.Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFX55N50F | 功能描述:MOSFET 500V 55A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX60N55Q2 | 功能描述:MOSFET 60 Amps 550V 0.09 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX62N25 | 功能描述:MOSFET 62 Amps 250V 0.035 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX64N50P | 功能描述:MOSFET 64.0 Amps 500 V 0.09 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX64N50Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/64A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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