- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18727 > IXFX55N50 (IXYS)MOSFET N-CH 500V 55A PLUS247 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IXFX55N50 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 55A PLUS247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 55A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 80 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 330nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 520W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | PLUS247?-3 |
| 包装： | 管件 |
IXFX 50N50
IXFX 55N50
140
Figure 1. Output Characteristics at 25 O C
100
Figure 2. Output Characteristics at 125 O C
120
100
T J = 25 O C
V GS = 10V
9V
8V
7V
80
T J = 125 O C
V GS = 10V
9V
8V
7V
6V
80
60
40
20
0
6V
5V
60
40
20
0
5V
0
4
8
12
16
20
24
0
4
8
12
16
20
24
V DS - Volts
V DS - Volts
2.8
2.4
Figure 3. R DS(on) normalized to 0.5
I D25 value vs. I D
V GS = 10V
2.2
2.0
Figure 4. R DS(on) normalized to 0.5
I D25 value vs. T J
V GS = 10V
2.0
T J = 125 O C
1.8
I D = 55A
1.6
1.6
1.2
0.8
T J = 25 O C
1.4
1.2
1.0
I D = 27.5A
0
20
40
60
80
100
120
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
Figure 5. Drain Current vs. Case Temperature
60
T J - Degrees C
Figure 6. Admittance Curves
100
50
IXF_55N50
80
40
IXF_50N50
60
T J = 125 o C
30
40
20
10
20
T J = 25 o C
0
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
0
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
T C - Degrees C
? 2002 IXYS All rights reserved
V GS - Volts
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 6262-2 | ADAPTER EXTEND FINE PT TIP RED |
| TCS3404CS | IC COLOR SENSOR DGTL 6CHIPSCALE |
| 6263-2 | ADAPTER IC PROBE TIP RED |
| TCS3415CS | IC COLOR SENSOR DGTL 6CHIPSCALE |
| 0622022620 | TOOL REMOVAL DAUGHTERCARD 4 PAIR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFX55N50F | 功能描述:MOSFET 500V 55A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX60N55Q2 | 功能描述:MOSFET 60 Amps 550V 0.09 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX62N25 | 功能描述:MOSFET 62 Amps 250V 0.035 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX64N50P | 功能描述:MOSFET 64.0 Amps 500 V 0.09 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX64N50Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/64A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。