参数资料
型号: IXFX64N50P
厂商: IXYS
文件页数: 2/4页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 500V 64A PLUS247
标准包装: 30
系列: PolarHV™ HiPerFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 64A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 85 毫欧 @ 32A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 5.5V @ 8mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 150nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 8700pF @ 25V
功率 - 最大: 830W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商设备封装: PLUS247?-3
包装: 管件
IXFK 64N50P
IXFX 64N50P
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
PLUS 247 TM (IXFX) Outline
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
V DS = 20 V; I D = 0.5 I D25 , pulse test
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D =0.5 I D25
30
50
8700
970
90
30
25
S
pF
pF
pF
ns
ns
t d(off)
t f
R G = 2 ? (External)
85
22
ns
ns
Terminals: 1 - Gate
2 - Drain (Collector)
3 - Source (Emitter)
4 - Drain (Collector)
Q g(on)
150
nC
Dim.
Millimeter
Min. Max.
Inches
Min. Max.
Q gs
Q gd
R thJC
R thCS
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 0.5 I D25
50
50
0.15
nC
nC
0.15 ° C/W
° C/W
A
A 1
A 2
b
b 1
b 2
C
4.83 5.21
2.29 2.54
1.91 2.16
1.14 1.40
1.91 2.13
2.92 3.12
0.61 0.80
.190 .205
.090 .100
.075 .085
.045 .055
.075 .084
.115 .123
.024 .031
D
E
e
20.80 21.34
15.75 16.13
5.45 BSC
.819 .840
.620 .635
.215 BSC
Source-Drain Diode
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
L
L1
Q
R
19.81 20.32
3.81 4.32
5.59 6.20
4.32 4.83
.780 .800
.150 .170
.220 0.244
.170 .190
I S
I SM
V SD
t rr
Q RM
I RM
V GS = 0 V
Repetitive
I F = I S , V GS = 0 V,
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
I F = 25A, -di/dt = 100 A/ μ s
V R = 100V
0.6
6.0
64
150
1.5
200
A
A
V
ns
μ C
A
TO-264 (IXFK) Outline
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by 4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344
6,727,585
one or moreof the following U.S. patents:
4,850,072
4,881,106
5,017,508
5,034,796
5,063,307
5,187,117
5,381,025
5,486,715
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,534,343
6,583,505
6,710,405B2
6,710,463
6,759,692
6,771,478 B2
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PDF描述
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相关代理商/技术参数
参数描述
IXFX64N50Q3 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/64A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFX64N60P 功能描述:MOSFET MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFX64N60P3 功能描述:MOSFET 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFX64N60Q3 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/64A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFX66N50Q2 功能描述:MOSFET 66 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube