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参数资料
| 型号： | IXFX64N50P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 64A PLUS247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarHV™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 64A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 85 毫欧 @ 32A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 150nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 8700pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 830W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | PLUS247?-3 |
| 包装： | 管件 |
IXFK 64N50P
IXFX 64N50P
70
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 o C
V GS = 10V
160
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25 o C
V GS = 10V
60
50
40
8V
7V
6V
140
120
100
8V
7V
80
30
60
20
40
6V
10
0
5V
20
0
5V
0
1
2
3
4
5
6
7
0
4
8
12
16
20
24
64
V D S - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125 o C
3.1
V D S - Volts
Fig. 4. R DS(on ) Norm alized to 0.5 I D25
Value vs. Junction Tem perature
56
48
40
V GS = 10V
8V
7V
6V
2.8
2.5
2.2
1.9
V GS = 10V
I D = 64A
32
24
1.6
1.3
I D = 32A
16
8
0
5V
1
0.7
0.4
0
2
4
6 8
V D S - Volts
10
12
14
-50
-25
0 25 50 75 100
T J - Degrees Centigrade
125
150
Fig. 5. R DS(on) Norm alized to
Fig. 6. Drain Current vs. Case
3.4
0.5 I D25 Value vs. I D
70
Tem perature
3.1
2.8
2.5
2.2
1.9
1.6
V GS = 10V
T J = 125oC
60
50
40
30
20
1.3
1
0.7
T J = 25oC
10
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2006 IXYS All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFX64N60P | MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFX64N50Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/64A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX64N60P | 功能描述:MOSFET MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX64N60P3 | 功能描述:MOSFET 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX64N60Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/64A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX66N50Q2 | 功能描述:MOSFET 66 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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