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参数资料
| 型号： | IXFX80N50P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 80A PLUS247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarHV™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 65 毫欧 @ 40A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 197nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 12700pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1040W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | PLUS247?-3 |
| 包装： | 管件 |
IXFK 80N50P
IXFX 80N50P
140
120
Fig. 7. Input Adm ittance
140
120
Fig. 8. Transconductance
100
100
T J = -40 ° C
25 ° C
80
60
40
20
0
T J = 125 ° C
25 ° C
-40 ° C
80
60
40
20
0
125 ° C
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
0
20
40
60
80
100
120
140
250
V G S - Volts
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
9
V DS = 250V
200
150
100
T J = 125 ° C
8
7
6
5
4
3
I D = 40A
I G = 10mA
50
0
T J = 25 ° C
2
1
0
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180 200
100000
10000
V S D - Volts
Fig. 11. Capacitance
f = 1MHz
1000
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forw ard-Bias
Safe Operating Area
R DS(on) Limit
1000
C iss
C oss
100
10
25μs
100μs
1ms
100
C rss
T J = 150 ° C
T C = 25 ° C
DC
10ms
10
1
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10
100
1000
V D S - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
V D S - Volts
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFX90N20Q | MOSFET N-CH 200V 90A PLUS247 |
| IXFX94N50P2 | MOSFET N-CH 500V 94A PLUS247 |
| IXFZ520N075T2 | MOSFET N-CH 75V 465A DE-475 |
| IXGA4N100 | IGBT 8A 1000V TO-263AA |
| IXGH32N100A3 | IGBT 75A 1000V TO-247AD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFX80N50Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/80A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX80N60P3 | 功能描述:MOSFET 600V 80A 0.07Ohm PolarP3 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX88N20Q | 功能描述:MOSFET 88 Amps 200V 0.022W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX90N20Q | 功能描述:MOSFET 200V 90A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX90N20QS | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 90A I(D) | TO-247SMD |
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